Василькова, Е. И., Пирогов, Е. В., Шубина, К. Ю., Воропаев, К. О., Васильев, А. А., Карачинский, Л. Я., Новиков, И. И., Баранцев, О. В., & Соболев, М. С. (2024). Электрофизические характеристики PIN-фотодиодов диапазона 2.2–2.6 мкм на основе гетероструктур InGa(Al)As/InP с метаморфным буферным слоем. Конденсированные среды и межфазные границы, 26(3), 417-423. https://doi.org/10.17308/kcmf.2024.26/12216