Подтверждение методом картирования тока, наведенного электронным пучком, самопроизвольного легирования GaN нитевидных нанокристаллов из вицинальной подложки SiC/Si. (2023). Конденсированные среды и межфазные границы, 25(4), 526-531. https://doi.org/10.17308/kcmf.2023.25/11474