Электрофизические характеристики PIN-фотодиодов диапазона 2.2–2.6 мкм на основе гетероструктур InGa(Al)As/InP с метаморфным буферным слоем. (2024). Конденсированные среды и межфазные границы, 26(3), 417-423. https://doi.org/10.17308/kcmf.2024.26/12216