ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlxGa1–xAs/GaAs(100), ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ, С ВЫСОКОЙ СТЕПЕНЬЮ ЛЕГИРОВАННИЯ ТВЕРДОГО РАСТВОРА КРЕМНИЕМ. (2010). Конденсированные среды и межфазные границы, 12(3), 258-267. https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1123