HIGH-ALLOY EPITAXIAL MOCVD AlxGa1-xAs;Si/GaAs(100) HETEROSTRUCTURES
Abstract
В работе исследовались гетероструктуры AlxGa1–xAs:Si/GaAs(100) и гомоэпитаксиальные структуры GaAs:Si/GaAs(100), выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии. Зафиксированные в проведенных нами экспериментах изменения, происходящие в высоколегированных твердых растворах AlxGa1–xAs, ведут не только к перестройке электронной плотности и образованию глубоких уровней (DX-центров) с последующей релаксацией кристаллической решетки твердого раствора, но и как главное следствие указывают на образование четверного раствора замещения типа AlxGa1–x–ySiy+zAs1–z выращенный на подложке GaAs(100).
Downloads
References
2. Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices. // New York: John Wiley and Sons. 1981.
3. Talwar D. N. and Vandevyver M. // Phys. Rev., B. 1989. V. 40. P. 9779.
4. Ghadi D.J., Chang K.J. // Phys. Rev. 1989. V. 39. P. 10063—10074.
5. Domashevskaya E.P., Seredin P.V., Lukin А.N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. V. 8. № 4.
6. Zhou D., Usher B.F. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. V. 34. P. 1461.
7. Wasilewski Z.R., Dion M.M., Lockwood D.J. J., et al. // Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 1683—94.
8. Fleischer S., Beling C. D., Fung S., Nieveen, et al. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. I.1.
9. Seredin P.V. , Domashevskaya É.P., Lukin A.N., et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. I. 9. P. 1055—1061.
10. Harrison W.A. Electronic Structure and the Properties of Solids ~W. H. Freeman, San Francisco 1980.
11. Wolverson D. and Bird D.M., et al. //. Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 113203.
12. Goldberg Yu.A. in Handbook Series on Semiconductor Parameters, Ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, and M. Shur (World Sci., London, 1999), V. 2.