HIGH-ALLOY EPITAXIAL MOCVD AlxGa1-xAs;Si/GaAs(100) HETEROSTRUCTURES
Abstract
В работе исследовались гетероструктуры AlxGa1–xAs:Si/GaAs(100) и гомоэпитаксиальные структуры GaAs:Si/GaAs(100), выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии. Зафиксированные в проведенных нами экспериментах изменения, происходящие в высоколегированных твердых растворах AlxGa1–xAs, ведут не только к перестройке электронной плотности и образованию глубоких уровней (DX-центров) с последующей релаксацией кристаллической решетки твердого раствора, но и как главное следствие указывают на образование четверного раствора замещения типа AlxGa1–x–ySiy+zAs1–z выращенный на подложке GaAs(100).
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Isiak I. К. P., Milnes A. G. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 5224.
2. Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices. // New York: John Wiley and Sons. 1981.
3. Talwar D. N. and Vandevyver M. // Phys. Rev., B. 1989. V. 40. P. 9779.
4. Ghadi D.J., Chang K.J. // Phys. Rev. 1989. V. 39. P. 10063—10074.
5. Domashevskaya E.P., Seredin P.V., Lukin А.N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. V. 8. № 4.
6. Zhou D., Usher B.F. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. V. 34. P. 1461.
7. Wasilewski Z.R., Dion M.M., Lockwood D.J. J., et al. // Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 1683—94.
8. Fleischer S., Beling C. D., Fung S., Nieveen, et al. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. I.1.
9. Seredin P.V. , Domashevskaya É.P., Lukin A.N., et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. I. 9. P. 1055—1061.
10. Harrison W.A. Electronic Structure and the Properties of Solids ~W. H. Freeman, San Francisco 1980.
11. Wolverson D. and Bird D.M., et al. //. Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 113203.
12. Goldberg Yu.A. in Handbook Series on Semiconductor Parameters, Ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, and M. Shur (World Sci., London, 1999), V. 2.
2. Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices. // New York: John Wiley and Sons. 1981.
3. Talwar D. N. and Vandevyver M. // Phys. Rev., B. 1989. V. 40. P. 9779.
4. Ghadi D.J., Chang K.J. // Phys. Rev. 1989. V. 39. P. 10063—10074.
5. Domashevskaya E.P., Seredin P.V., Lukin А.N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. V. 8. № 4.
6. Zhou D., Usher B.F. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. V. 34. P. 1461.
7. Wasilewski Z.R., Dion M.M., Lockwood D.J. J., et al. // Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 1683—94.
8. Fleischer S., Beling C. D., Fung S., Nieveen, et al. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. I.1.
9. Seredin P.V. , Domashevskaya É.P., Lukin A.N., et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. I. 9. P. 1055—1061.
10. Harrison W.A. Electronic Structure and the Properties of Solids ~W. H. Freeman, San Francisco 1980.
11. Wolverson D. and Bird D.M., et al. //. Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 113203.
12. Goldberg Yu.A. in Handbook Series on Semiconductor Parameters, Ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, and M. Shur (World Sci., London, 1999), V. 2.
Published
2010-09-30
How to Cite
Seredin, P. V. (2010). HIGH-ALLOY EPITAXIAL MOCVD AlxGa1-xAs;Si/GaAs(100) HETEROSTRUCTURES. Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 12(3), 258-267. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1123
Issue
Section
Статьи
