ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlxGa1–xAs/GaAs(100), ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ, С ВЫСОКОЙ СТЕПЕНЬЮ ЛЕГИРОВАННИЯ ТВЕРДОГО РАСТВОРА КРЕМНИЕМ
Ключевые слова:
гетероструктуры, AlxGa1–xAs, легирование кремнием, DX-центры.
Аннотация
В работе исследовались гетероструктуры AlxGa1–xAs:Si/GaAs(100) и гомоэпитаксиальные структуры GaAs:Si/GaAs(100), выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии. Зафиксированные в проведенных нами экспериментах изменения, происходящие в высоколегированных твердых растворах AlxGa1–xAs, ведут не только к перестройке электронной плотности и образованию глубоких уровней (DX-центров) с последующей релаксацией кристаллической решетки твердого раствора, но и как главное следствие указывают на образование четверного раствора замещения типа AlxGa1–x–ySiy+zAs1–z выращенный на подложке GaAs(100).
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Isiak I. К. P., Milnes A. G. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 5224.
2. Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices. // New York: John Wiley and Sons. 1981.
3. Talwar D. N. and Vandevyver M. // Phys. Rev., B. 1989. V. 40. P. 9779.
4. Ghadi D.J., Chang K.J. // Phys. Rev. 1989. V. 39. P. 10063—10074.
5. Domashevskaya E.P., Seredin P.V., Lukin А.N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. V. 8. № 4.
6. Zhou D., Usher B.F. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. V. 34. P. 1461.
7. Wasilewski Z.R., Dion M.M., Lockwood D.J. J., et al. // Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 1683—94.
8. Fleischer S., Beling C. D., Fung S., Nieveen, et al. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. I.1.
9. Seredin P.V. , Domashevskaya É.P., Lukin A.N., et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. I. 9. P. 1055—1061.
10. Harrison W.A. Electronic Structure and the Properties of Solids ~W. H. Freeman, San Francisco 1980.
11. Wolverson D. and Bird D.M., et al. //. Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 113203.
12. Goldberg Yu.A. in Handbook Series on Semiconductor Parameters, Ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, and M. Shur (World Sci., London, 1999), V. 2.
2. Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices. // New York: John Wiley and Sons. 1981.
3. Talwar D. N. and Vandevyver M. // Phys. Rev., B. 1989. V. 40. P. 9779.
4. Ghadi D.J., Chang K.J. // Phys. Rev. 1989. V. 39. P. 10063—10074.
5. Domashevskaya E.P., Seredin P.V., Lukin А.N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. V. 8. № 4.
6. Zhou D., Usher B.F. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. V. 34. P. 1461.
7. Wasilewski Z.R., Dion M.M., Lockwood D.J. J., et al. // Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 1683—94.
8. Fleischer S., Beling C. D., Fung S., Nieveen, et al. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. I.1.
9. Seredin P.V. , Domashevskaya É.P., Lukin A.N., et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. I. 9. P. 1055—1061.
10. Harrison W.A. Electronic Structure and the Properties of Solids ~W. H. Freeman, San Francisco 1980.
11. Wolverson D. and Bird D.M., et al. //. Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 113203.
12. Goldberg Yu.A. in Handbook Series on Semiconductor Parameters, Ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, and M. Shur (World Sci., London, 1999), V. 2.
Опубликован
2010-09-30
Как цитировать
Seredin, P. V. (2010). ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlxGa1–xAs/GaAs(100), ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ, С ВЫСОКОЙ СТЕПЕНЬЮ ЛЕГИРОВАННИЯ ТВЕРДОГО РАСТВОРА КРЕМНИЕМ. Конденсированные среды и межфазные границы, 12(3), 258-267. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1123
Выпуск
Раздел
Статьи
