МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ТОКОПРОХОЖДЕНИЯ ПЛЁНОК AIII2BVI3 В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ
Keywords:
теллурид индия, донорный уровень, подвижность электронов и дырок, дифференциальная проводимость и емкостьAbstract
Приведены описания и результаты решения уравнения электронейтральности в гетероструктуре Al/In2Te3 /InAs (n - типа), с учетом данных о двух типов уровней (Ed=0.5эВEd=0.5эВ и Et=0.36эВEt=0.36эВ) в запрещённой зоне материала слоя In2Te3. При температурах образца T∼250÷300KT∼250÷300K установлен факт изменения типа проводимости исследуемых гетероструктур с n - типа на p - тип.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Downloads
Published
2015-05-28
Issue
Section
Статьи
How to Cite
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ТОКОПРОХОЖДЕНИЯ ПЛЁНОК AIII2BVI3 В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ. (2015). Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 17(2), 181-191. https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/61








