ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ и ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ИСХОДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ СИСТЕМЫ TlInSe2–TlGaTe2

Solmas N. Mystafaeva; Mirsalim M. Asadov; Aydin I. Jabbarov; Elmira M. Kerimova

Authors

Solmas N. Mystafaeva Dr. Sci. (Phys.–Math.), Main Researcher, Institute of Physics NАN of Azerbaijan; е-mail: solmust@gmail.com
Mirsalim M. Asadov Dr. Sci. (Chem.), Head of the sector, Institute of Chemical Problems NАN of Azerbaijan; e-mail: mirasadov@gmail .com
Aydin I. Jabbarov Cand. Sci. (Phys.–Math.), Senior Researcher, Institute of Physics NАN of Azerbaijan; е-mail: solmust@gmail.com
Elmira M. Kerimova Dr. Sci. (Phys.–Math.), Main Researcher, Institute of Physics NАN of Azerbaijan; е-mail: solmust@gmail.com

Keywords:

твердые растворы, (TlInSe2)1-х(TlGaTe2)х, электрические и диэлектрические свойства, постоянный и переменный ток.

Abstract

Выращены цепочечные монокристаллы твердых растворов (TlInSe2)1-х(TlGaTe2)х (х= 0.4 и 0.6) с тетрагональной структурой. Проведенные измерения физических свойств полученных образцов (TlInSe2)0.6(TlGaTe2)0.4 позволили определить диэлектрические характеристики и их частотную дисперсию, установить природу диэлектрических потерь, механизм переноса заряда на переменном токе. Оценены плотность и энергетический разброс локализованных состояний, среднее время и расстояние прыжков, а также концентрация глубоких ловушек,
ответственных за ас-проводимость в образце (TlInSe2)0.6(TlGaTe2)0.4. Измерена термо-э.д.с. в кристаллах (TlInSe2)0.4(TlGaTe2)0.6 и определен их тип проводимости.