ЭВОЛЮЦИЯ ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫХ ЦЕНТРОВ ПОВЕРХНОСТИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ ПРИ ДИСПЕРГИРОВАНИИ
Ключевые слова:
сегнетоэлектрики, диспергирование, донорно-акцепторные центры поверхности.Аннотация
Методом адсорбции кислотно-основных индикаторов с рKа в интервале от –5 до 15 изучено изменение распределения донорно-акцепторных центров на поверхности сегнетоэлектриков состава BaTiO3 — CaSnO3 в процессе диспергирования в присутствии ПАВ.
Корреляционный анализ показал, что диспергирование приводит к образованию пар кислотных (pKa ~7 — ΔpKa) и основных (pKa ~7 + ΔpKa) бренстедовских центров с величинами pKa ~7.0, смещенными относительно нейтральной точки pKa ~7.0 на одинаковую величину ΔpKa и характеризующихся симбатным изменением концентрации в зависимости от времени диспергирования. Кроме того, установлено взаимное превращение (трансмутация) льюисовских основных (pKa ~ –0.9) и бренстедовских кислотных (pKa ~0.8) центров в процессе диспергирования. В целом показано, что селективная адсорбция кислотно-основных индикаторов является высокочувствительным методом анализа структурных дефектов, образующихся на поверхности дисперсных материалов в процессе механохимической обработки.






