ЭВОЛЮЦИЯ ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫХ ЦЕНТРОВ ПОВЕРХНОСТИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ ПРИ ДИСПЕРГИРОВАНИИ

Авторы

  • Natalia V. Zakharova Захарова Наталия Владимировна — к.х.н., доцент, кафедра химической нанотехнологии материалов и из- делий электронной техники, Санкт-Петербургский го- сударственный технологический институт (Технический университет); тел.: (812) 4949359, e-mail: zakharova@ lti-gti.ru
  • Maxim M. Sychov Сычев Максим Максимович — к.х.н., доцент, заведующий кафедрой теоретических основ материалове- дения, Санкт-Петербургский государственный техноло- гический институт (Технический университет); тел.: (812) 4949397, e-mail: msychov@yahoo.com
  • Vladimir G. Korsakov Корсаков Владимир Георгиевич — д.х.н., профессор, кафедра химической нанотехнологии материалов и из- делий электронной техники, Санкт-Петербургский го- сударственный технологический институт (Технический университет); тел.: (812) 4949359, e-mail: vg_korsakov@ mail.ru
  • Sergey V. Mjakin Мякин Сергей Владимирович — к.х.н., научный сотрудник, кафедра теоретических основ материаловеде- ния, Санкт-Петербургский государственный технологи- ческий институт (Технический университет); тел.: (812) 4949324, е-mail: sergey_mjakin@mail.ru

Ключевые слова:

сегнетоэлектрики, диспергирование, донорно-акцепторные центры поверхности.

Аннотация

Методом адсорбции кислотно-основных индикаторов с рKа в интервале от –5 до 15 изучено изменение распределения донорно-акцепторных центров на поверхности сегнетоэлектриков состава BaTiO3 — CaSnO3 в процессе диспергирования в присутствии ПАВ.
Корреляционный анализ показал, что диспергирование приводит к образованию пар кислотных (pKa ~7 — ΔpKa) и основных (pKa ~7 + ΔpKa) бренстедовских центров с величинами pKa ~7.0, смещенными относительно нейтральной точки pKa ~7.0 на одинаковую величину ΔpKa и характеризующихся симбатным изменением концентрации в зависимости от времени диспергирования. Кроме того, установлено взаимное превращение (трансмутация) льюисовских основных (pKa ~ –0.9) и бренстедовских кислотных (pKa ~0.8) центров в процессе диспергирования. В целом показано, что селективная адсорбция кислотно-основных индикаторов является высокочувствительным методом анализа структурных дефектов, образующихся на поверхности дисперсных материалов в процессе механохимической обработки.

Скачивания

Данные по скачиваниям пока не доступны.

Библиографические ссылки

Загрузки

Опубликован

2011-03-10

Выпуск

Раздел

Статьи

Как цитировать

ЭВОЛЮЦИЯ ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫХ ЦЕНТРОВ ПОВЕРХНОСТИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ ПРИ ДИСПЕРГИРОВАНИИ. (2011). Конденсированные среды и межфазные границы, 13(1), 56-62. https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1021

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)