О МЕХАНИЗМЕ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ ПОД ВЛИЯНИЕМ ИМПУЛЬСНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Valery S. Abramov; Vladimir L. Busov; Larisa A. Bityutskaya

Авторы

Valery S. Abramov Абрамов Валерий Сергеевич — д.ф-м.н., старший научный сотрудник, Донецкий физико-технический институт; тел.: (0626) 3110570, e-mail: dima_busov@mail.ru
Vladimir L. Busov Бусов Владимир Львович — доцент, машиностроительная академия; тел. (0626) 481344, e-mail: dima_ busov@mail.ru
Larisa A. Bityutskaya Битюцкая Лариса Александровна — доцент, кафедра физики полупроводников и микроэлектроники, физиче- ский факультет, Воронежский государственный университет; тел.: (4732) 208481, e-mail: me144@phys.vsu.ru

Ключевые слова:

междоузельные ионы, импульсное магнитное поле, локальные нетепловые фононы, энергия активации массопереноса.

Аннотация

Рассмотрен процесс перемещения междоузельных ионов в галогенидах щелочных металлов под влиянием импульсных магнитных полей. Приведен анализ составляющих энергии активации перемещения таких дефектов. Показано, что наиболее вероятным механизмом образования междоузельных ионов и вакансий при воздействии импульсного магнитного поля является пластическая деформация на стадии двойного поперечного скольжения. Предложена модель перемещения точечных дефектов по междоузлиям при наличии импульсного магнитного поля. Проведена оценка пороговых значений энергии активации массопереноса по тетраэдрическим междоузлиям.