МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ТОКОПРОХОЖДЕНИЯ ПЛЁНОК AIII2BVI3 В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ

Авторы

  • Татьяна Владимировна Прокопова
  • Екатерина Андреевна Михайлюк
  • Николай Николаевич Безрядин

Ключевые слова:

теллурид индия, донорный уровень, подвижность электронов и дырок, дифференциальная проводимость и емкость

Аннотация

Приведены описания и результаты решения уравнения электронейтральности в гетероструктуре Al/In2Te3 /InAs (n - типа), с учетом данных о двух типов уровней (Ed=0.5эВEd=0.5эВ и Et=0.36эВEt=0.36эВ) в запрещённой зоне материала слоя In2Te3. При температурах образца T∼250÷300KT∼250÷300K установлен факт изменения типа проводимости исследуемых гетероструктур с n - типа на p - тип.

Скачивания

Данные по скачиваниям пока не доступны.

Библиографические ссылки

Загрузки

Опубликован

2015-05-28

Выпуск

Том 17 № 2 (2015)

Раздел

Статьи

Как цитировать

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ТОКОПРОХОЖДЕНИЯ ПЛЁНОК AIII2BVI3 В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ. (2015). Конденсированные среды и межфазные границы, 17(2), 181-191. https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/61