ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ и ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ИСХОДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ СИСТЕМЫ TlInSe2–TlGaTe2

Solmas N. Mystafaeva; Mirsalim M. Asadov; Aydin I. Jabbarov; Elmira M. Kerimova

Авторы

Solmas N. Mystafaeva Мустафаева Солмаз Наримановна — д.ф.-м.н, гл.н.с., Институт физики НАН Азербайджана; е-mail: solmust@gmail.com
Mirsalim M. Asadov Асадов Мирсалим Мираламоглы — д.х.н., зав. сек- тором, Институт химических проблем НАН Азербайджана; е-mail: mirasadov@gmail.com
Aydin I. Jabbarov Джаббаров Айдын И. — к.ф.-м.н, с.н.с., Институт физики НАН Азербайджана; е-mail: solmust@gmail .com
Elmira M. Kerimova Керимова Элмира Маммадалиевна — д.ф.-м.н., гл.н.с., Институт физики НАН Азербайджана; е-mail: solmust@gmail .com

Ключевые слова:

твердые растворы, (TlInSe2)1-х(TlGaTe2)х, электрические и диэлектрические свойства, постоянный и переменный ток.

Аннотация

Выращены цепочечные монокристаллы твердых растворов (TlInSe2)1-х(TlGaTe2)х (х= 0.4 и 0.6) с тетрагональной структурой. Проведенные измерения физических свойств полученных образцов (TlInSe2)0.6(TlGaTe2)0.4 позволили определить диэлектрические характеристики и их частотную дисперсию, установить природу диэлектрических потерь, механизм переноса заряда на переменном токе. Оценены плотность и энергетический разброс локализованных состояний, среднее время и расстояние прыжков, а также концентрация глубоких ловушек,
ответственных за ас-проводимость в образце (TlInSe2)0.6(TlGaTe2)0.4. Измерена термо-э.д.с. в кристаллах (TlInSe2)0.4(TlGaTe2)0.6 и определен их тип проводимости.