ЗАВИСИМОСТЬ КИНЕТИКИ ФОТОТОКА В ПЛЕНКАХ Pb1-xSnxTe ОТ УРОВНЯ ОСВЕЩЕНИЯ И ВРЕМЕНИ ЭКСПОЗИЦИИ

Aleksey N. Akimov; Alexandr E. Klimov; Alexandr M. Samoylov; Vladimir N. Shumsky; Vladimir Stanislavovich Epov

Авторы

Aleksey N. Akimov Акимов Алексей Николаевич — н. с., Институт фи- зики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; тел.: (383) 3308888, e-mail: lexa@isp.nsc.ru
Alexandr E. Klimov Климов Александр Эдуардович — заведующий ла- бораторией, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; тел.: (383) 3306631, e-mail: klimov@isp.nsc.ru
Alexandr M. Samoylov Самойлов Александр Михайлович — д. х. н., профессор кафедры материаловедения и индустрии нано- систем, Воронежский государственный университет; тел.: (473) 2596515, e-mail: samoylov@chem.vsu.ru
Vladimir N. Shumsky Шумский Владимир Николаевич — главный н. с., Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; тел.: (383) 3307883, e-mail: shumsky@isp.nsc.ru
Vladimir Stanislavovich Epov Эпов Владимир Станиславович — инженер, Инсти- тут физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; тел.: (383) 3306631, e-mail: epov@isp.nsc.ru

Ключевые слова:

узкозонные полупроводники, твердые растворы, теллурид свинца, теллурид олова, легирование, тонкие пленки, фотопроводимость.

Аннотация

В работе представлены результаты исследования динамики нарастания и спада фототока в полученных молекулярно-лучевой эпитаксией пленках Pb1-xSnxTe<In> с составами x ≈ 0.24—0.28 при Т = 4.2 К при различных интенсивностях освещения и его продолжительности. Рассматриваются возможные причины отличия поведения фототока в зависимости от указанных факторов