СИНТЕЗ И СВОЙСТВА НАНОДИСПЕРСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ А2В6 И НАНОЛЮМИНОФОРОВ. ОБЗОР

Vladimir G. Korsakov; Maxim M. Sychev; Vadim В. Bahmetev

Авторы

Vladimir G. Korsakov Корсаков Владимир Георгиевич — д.х.н., профессор, Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет); e-mail: vg_ korsakov@mail.ru
Maxim M. Sychev Сычев Максим Максимович — к.х.н., доцент, зав. кафедрой теоретических основ материаловедения, Санкт-Петербургский государственный технологиче- ский институт (технический университет); тел.: (812) 4949397, e-mail: msychov@yahoo.com
Vadim В. Bahmetev Бахметьев Вадим Владимирович — к.х.н., старший преподаватель кафедры теоретических основ материа- ловедения, Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет); тел.: (812) 3138452, e-mail: vadim_bakhmetyev@mail.ru

Ключевые слова:

полупроводники А2В6 нанолюминофоры, квантовые точки, размерные эффекты, золь/гель метод, цветовые координаты, спектры излучения.

Аннотация

Проведен анализ основных проблем синтеза эффективных нанолюминофоров на основе легированных полупроводников А2В6. Показано, что повышение яркости свечения фотолюминофоров с частицами нанометровых размеров возможно в результате образования поверхностных центров свечения, количество которых существенно превышает содержание объемных центров. Наибольшая эффективность излучения достигается для нанолюминофоров типа ядро/оболочка с образованием квантовой ямы на границе раздела узкозонного и широкозонного полупроводников, например, для системы ZnxCd1–xS/ZnS. Приводятся примеры синтеза нанолюминофоров различного состава золь/гель методом и их цветовые координаты. При использовании нанолюминофоров в новых системах светодиодов на квантовых точках (QDLED) большое влияние на эффективный перенос носителей оказывает морфология полимерного композита. Оптимизация структуры межфазного слоя и применение нанокристаллов типа ядро/оболочка приведет к росту квантового выхода.