Физико-химическая модель поведения галлия в профиле выветривания
DOI:
https://doi.org/10.17308/geology.2021.2/3493Ключевые слова:
Галлий, Ga(OH)30 ∆fGo(298.15) Дж/моль, моделирование, ЭВМ, Селектор, профиль выветриванияАннотация
Введение: Представлены авторские и литературные данные по стандартной свободной энергии Гиббса для 23 ионов и комплексов галлия в водном растворе, а также для трёх возможных его минеральных фаз. Методика: По программе «Селектор» методом физико-химического моделирования на ЭВМ проведён анализ поведения галлия в процессе выветривания филлитовидных сланцев. Результаты и обсуждение: Содержание Ga в сланцах аналогично его среднему содержанию в земной коре и равно 10-3 вес. %. Установлено, что в профиле выветривания галлий находится в растворе в виде гидроксокомплексов Ga(ОH)30, Ga(ОH)4- (преобладает) и Ga(ОH)52-. Заключение: В окислительной зоне вероятно появление оксида галлия, но в весьма малом количестве из-за его изоморфизма с алюминием и вхождением в решетку гиббсита. В восстановительной зоне профиля может возникать сульфид Ga2S3.











