ANALYSIS OF CAPACITANCE-VOLTAGE HARACTERISTICS OF ZnO:RE THIN FILMS ON SILICONE SUBSTRATES BY THE THERMAN METHOD

  • Victoria V. Malyutina-Bronskaya junior researcher, State Research Institution «B.I. Stepanov Insitute of Physics of NAS of Belarus»; tel.: +375(17) 2813222, e-mail: v_malyutina@rambler.ru
  • Valery В. Zalesski PhD (Eng.), head of the laboratory, State Research Institution «B.I. Stepanov Insitute of Physics of NAS of Belarus»; tel.: +375(17) 2813229, e-mail: zalesski@inel.bas-net.by
  • Tamara R. Leonova researcher, State Research Institution «B.I. Stepanov Insitute of Physics of NAS of Belarus»; tel.: +375(17) 2813229, e-mail: leonova@ inel.bas-net. by
  • Oleg A. Grebenschikov researcher, State Research Institution «B.I. Stepanov Insitute of Physics of NAS of Belarus»; tel.: +375(17) 2813229, e-mail: greben317@gmail.com

Abstract

Методом магнетронного распыления на постоянном токе получены пленки ZnO, легированные редкоземельными элементами (эрбием и европием), на кремниевых подложках. Сформированы МОП-структуры и измерены их высокочастотные вольт-фарадные характеристики. Для структур Al-Ni/ZnO:RE/Si методом Термана получены основные параметры и спектры плотности поверхностных состояний.

Downloads

Download data is not yet available.

References

1. Wu M.-S., Shin W.-C., Tsai W.-H. // J. Phys. D, Appl. Phys. 1998. V. 31. P. 943.
2. Nakamura K., Shoji T., Hee-Bong K. // Jpn. J. Appl. Phys. Part 2: Lett. 2000. V. 39. P. 534.
3. Gyani A. K., Khan O. F. Z., Brien P. O. // Thin Solid Films. 1989. V. 182. P. L1
4. Ma J., Ji F., Ma H.-I., et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1995. V. A 13. P. 92.
5. Nassern S., Iqbal M., Hussani K. // Sol. Energy Matter. 1993. V. 31. P. 155.
6. Minami T., Sonohara H., Takata S. // Jpn. J. Appl. Phys. Par 2: Lett. 1994. V. 33. P. 743.
7. Paraguay F. D., Estrada W. L., Acosta D. N. R. // Thin Solid Films. 1992. V. 350. P. 192.
8. Kamalasanan M. N., Chandra S. // Thin Solid Films. V. 288. P. 112.
9. Залесский В. Б., Леонова Т. Р., Гончарова О. В. // ФХТ. 2005. Т. 6 В. 1. С. 44.
10. Ozgür U., Hofstetter D., Morkoç H. // Proceedings of the IEEE 2010. V. 98. № 7. P. 1255 .
11. Khomchenko V. S. // Superlattices and Microstructures. 2007. V. 42. P. 94.
12. Абдуев А. Х., Ахмедов А. К., Асваров А. Ш. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 1. С. 34.
13. Мездрогина М. М., Еременко М. В., Голубенко С. М. // ФТТ. 2012. Т. 54. В. 6. С. 1155.
14. Колешко В. М., Каплан Г. Д. C-V методы измерения параметров МОП-структур. М.: ЦНИИ Электроника, 1977. С. 83.
15. Давыдов В. Н., Троян П. Е., Зайцев Н. Г. // Известия Томского политехнического университета. 2006. Т. 309. В. 8. С. 47.
16. Малютина-Бронская В. В., Залесский В. Б., Леонова Т. Р. // Доклады БГУИР. 2011. Т. 60. № 6. С. 39.
17. Oba F., Minseok C., Togo A., et al. // Sci.Technol. Adv.Mater. 2011. V. 12. P. 034302.
18. Гуртов В. А. Твердотельная электроника. М.: Техносфера, 2005. С. 407.
19. Тутов Е. А., Рябцев С. В., Тутов Е. Е. и др. // ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 12. С. 65—68.
Published
2012-12-20
How to Cite
Malyutina-Bronskaya, V. V., ZalesskiV. В., Leonova, T. R., & Grebenschikov, O. A. (2012). ANALYSIS OF CAPACITANCE-VOLTAGE HARACTERISTICS OF ZnO:RE THIN FILMS ON SILICONE SUBSTRATES BY THE THERMAN METHOD. Condensed Matter and Interphases, 14(4), 433-437. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1001
Section
Статьи