EFFECT OF DEPOSITION CONDITIONS ON THE COMPOSITION AND STRUCTURE OF SiC FILMS
Abstract
Исследованы пленки карбида кремния, синтезированные в реакторах с горячей и холодной стенками методом химического осаждения из парогазовой смеси, содержащей кремнийорганические соединения ((CH3)3SiCl, (CH3)2SiCl2, CH3SiCl3) в водороде. Установлено,
что при температурах осаждения в области 900 °C происходит изменение структуры пленки карбида кремния от аморфной до аморфно-кристаллической. При температурах синтеза до 900 °C повышение концентрации водорода в парогазовой смеси ведет к увеличению его концентрации в пленке. Использование дополнительной термической активации парогазовой смеси (реализация процесса в реакторе с горячей стенкой) позволяет снизить температуру синтеза с 950 °C до 700 °C.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Атажанов Ш. Р., Атажанова Л. В. // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии. III Международная конференция. Ставрополь: СевКавГ- ТУ, 2003. C. 212—216.
2. Синельников Б. М., Тарала В. А., Саутиев А. Б. и др. // Вестник Северо-Кавказского технического университета. 2007. Т. 10. № 1. С. 13—15.
3. Ikoma Y., Endo T., Tada T., et al. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 265—268.
4. Carreno M. N. P., Pereyra I. // Superfi cies y Vacio. 1999. V. 9. P. 119—122.
5. Васин А. В., Русавский А. В., Лысенко В. С. и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 5. C. 602—607.
6. Pereyra I., Villacorta C. A., Careno M. N. P. // Brazilian Journal of Physics. 2000. V. 30. № 3. P. 533—540.
7. Harima Hiroshi, Hosoda Toru, Nakashima Shinichi. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 603—606.
8. Feng Z. C., Chua S. J., Shen Z. X., et al. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 660—662.
9. Mestres N., Aisina F., Campos F. J., et al. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 663—666.
10. Casiraghi C., Piazza F., Ferrari A. C., et al. // Diamond & Related Materials. 2005. V. 14. P. 1098—1102.
11. Chen J., Stecki A. J., Loboda M. J. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials. 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 273—276.
2. Синельников Б. М., Тарала В. А., Саутиев А. Б. и др. // Вестник Северо-Кавказского технического университета. 2007. Т. 10. № 1. С. 13—15.
3. Ikoma Y., Endo T., Tada T., et al. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 265—268.
4. Carreno M. N. P., Pereyra I. // Superfi cies y Vacio. 1999. V. 9. P. 119—122.
5. Васин А. В., Русавский А. В., Лысенко В. С. и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 5. C. 602—607.
6. Pereyra I., Villacorta C. A., Careno M. N. P. // Brazilian Journal of Physics. 2000. V. 30. № 3. P. 533—540.
7. Harima Hiroshi, Hosoda Toru, Nakashima Shinichi. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 603—606.
8. Feng Z. C., Chua S. J., Shen Z. X., et al. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 660—662.
9. Mestres N., Aisina F., Campos F. J., et al. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 663—666.
10. Casiraghi C., Piazza F., Ferrari A. C., et al. // Diamond & Related Materials. 2005. V. 14. P. 1098—1102.
11. Chen J., Stecki A. J., Loboda M. J. // Proceeding of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials. 1999. USA. Research Triangle Park, North Carolina, 1999. V. 1. P. 273—276.
Published
2011-09-25
How to Cite
Tarala, V. A. (2011). EFFECT OF DEPOSITION CONDITIONS ON THE COMPOSITION AND STRUCTURE OF SiC FILMS. Condensed Matter and Interphases, 13(3), 348-357. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1064
Issue
Section
Статьи
