THERMAL SENSITIZING OF THE CHEMICALLY DEPOSITED LEAD SELENIDE FILMS
Abstract
Определены режимы и параметры термосенсибилизации пленок селенида свинца, осажденных из этилендиамин-ацетатной системы в температурном диапазоне 523—698 К. Выявлено влияние на величину фотоэлектрических характеристик пленок времени и температуры обработки, содержания компонентов реакционной смеси, добавки иодида аммония. Термообработка в воздушной атмосфере сопровождается образованием кислородсодержащих фаз PbO, PbSeО3, 4PbO · PbSeО3 и значительным изменением морфологии пленок. Глобульный агломерационный характер частиц свежеосажденных слоев приобретает блочную структуру со средним размером кристаллитов 770 нм.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Миронов М. П., Кирсанов А. Ю., Маскаева Л. Н. и др. // Бутлеровские сообщения. 2010. Т. 19. № 2. С. 1—9.
2. Поповкин Б. А., Ковба Л. М., Зломанов В. П. и др. // ДАН СССP. 1959. Т. 129. № 4. С. 809—812.
3. Зломанов В. П., Тананаева О. И., Новоселова А. В. // Журн. неорган. химии. 1961. Т. 6. В. 12. С. 2753—2757.
4. Серов И. Н., Иошт М. А., Кощеев С. В. и др. // Микросистемная техника. 2004. № 8. С..17—20.
5. 5.Gautier C. Combon-Muller V., Averous V. // Appl. Surf. Sci. 1999. V. 141. P. 157—163.
6. Раренко И. М., Гавриленко Н. В., Грабко В. С. и др. // Надежность микроэлектронных схем и элементов: сб. Киев: Наукова думка, 1982. С. 101—19.
7. Войтович Г. Д., Давыдов М. С., Иванов А. И. и др. // Оптико-механ. пром. 1966. № 12. С. 9—12.
8. Гамарц А. Е., Лебедев В. М., Мошников В. А. и др. // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. № 10. С. 1195—1198.
9. Голубченко Н. В., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. // Изв ВУЗов. Материалы электронной техники. 2005. № 1. С. 23—25.
10. Голубченко Н. В., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32. № 3. С. 464—478.
11. Спивак Ю. М. Анализ фотоприемных монокристаллических и поликристаллических слоев на основе халькогенидов свинца методами атомно-силовой микроскопии. Автореферат диссертации канд. ф.-м. наук / Ю. М. Спивак. Санкт-Петербург. 2008. 23 с.
12. Ильин В. А., Петров А. А. Писаревский М. С. // Петербург. журн. электроники. 2001. № 4. С. 93—100
13. Томаев В. В., Чернышова И. В., Тихонов П. А. // Физика и химия стекла. 2007. Т. 33. № 6. С. 883—889.
14. Верцнер В. Н., Тихомиров Г. П., Давыдов М. С. и др. // Изв. АН СССР. Серия физическая. 1963. Т. 27. № 9. С. 1228—1231.
15. Китаев Г. А., Протасова Л. Г., Косенко В. Г. и др. // Изв. РАН. Неорган. Мат. 1993. Т. 29. № 7. С. 1017—1018.
16. Ильин В. И. //ФТП. 1970. Т. 4. В. 3. С. 31—34.
17. Буткевич В. Г., Бочков В. Д., Глобус Е. Р. // Прикладная физика. 2001. № 6. С. 66—112.
18. Rietveld H. M. // J. Appl. Ctyst. 1969. V. 2. P. 65—71. 19. Китайгородский А. И. Рентгеноструктурный анализ мелкодисперсных и аморфных тел. М.- Л.: Гос. изд. технико-теорет. лит-ры, 1952. 588 c.
20. Hall W. H. // Proc. Phys. Soc. London. 1949. Sect. A. V. 62. Рart 11. № 359A. P. 741—743.
21. Hall W. H., Williamson G. K. // Proc. Phys. Soc. London. 1951. Sect. B. V. 64. Рart 11. № 383 B. P. 937—946.
22. Williamson G. K, Hall W. H. //Act. Met. 1953. V. 1. № 1. P. 22—31.
23. Зломанов В. П., Новоселова А. В. // ДАН СССP. 1961. Т. 247. № 3. С. 607—609
24. Пашинкин А. С., Спивак М. М. // Неорган. Мат. 1988. Т. 27. № 8. С. 1332—1337.
25. Голубченко Н. В., Иошт М. А., Мошников В. А. и др. // Тезисы докладов Первой Всероссийской конференции “Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах”. ФАГРАН-2002. Воронеж. 2002. С. 165.
26. Гамарц, Е. М., Голубченко Н. В., Мошников В. А. и др. // Материалы электронной техники. 2003. № 4. С. 25—32.
27. Голубченко Н. В., Мошников В. А, Мошников В. А. и др. // Неорган. Мат. 2006. Т. 42. № 9. С. 1040—1049.
2. Поповкин Б. А., Ковба Л. М., Зломанов В. П. и др. // ДАН СССP. 1959. Т. 129. № 4. С. 809—812.
3. Зломанов В. П., Тананаева О. И., Новоселова А. В. // Журн. неорган. химии. 1961. Т. 6. В. 12. С. 2753—2757.
4. Серов И. Н., Иошт М. А., Кощеев С. В. и др. // Микросистемная техника. 2004. № 8. С..17—20.
5. 5.Gautier C. Combon-Muller V., Averous V. // Appl. Surf. Sci. 1999. V. 141. P. 157—163.
6. Раренко И. М., Гавриленко Н. В., Грабко В. С. и др. // Надежность микроэлектронных схем и элементов: сб. Киев: Наукова думка, 1982. С. 101—19.
7. Войтович Г. Д., Давыдов М. С., Иванов А. И. и др. // Оптико-механ. пром. 1966. № 12. С. 9—12.
8. Гамарц А. Е., Лебедев В. М., Мошников В. А. и др. // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. № 10. С. 1195—1198.
9. Голубченко Н. В., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. // Изв ВУЗов. Материалы электронной техники. 2005. № 1. С. 23—25.
10. Голубченко Н. В., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32. № 3. С. 464—478.
11. Спивак Ю. М. Анализ фотоприемных монокристаллических и поликристаллических слоев на основе халькогенидов свинца методами атомно-силовой микроскопии. Автореферат диссертации канд. ф.-м. наук / Ю. М. Спивак. Санкт-Петербург. 2008. 23 с.
12. Ильин В. А., Петров А. А. Писаревский М. С. // Петербург. журн. электроники. 2001. № 4. С. 93—100
13. Томаев В. В., Чернышова И. В., Тихонов П. А. // Физика и химия стекла. 2007. Т. 33. № 6. С. 883—889.
14. Верцнер В. Н., Тихомиров Г. П., Давыдов М. С. и др. // Изв. АН СССР. Серия физическая. 1963. Т. 27. № 9. С. 1228—1231.
15. Китаев Г. А., Протасова Л. Г., Косенко В. Г. и др. // Изв. РАН. Неорган. Мат. 1993. Т. 29. № 7. С. 1017—1018.
16. Ильин В. И. //ФТП. 1970. Т. 4. В. 3. С. 31—34.
17. Буткевич В. Г., Бочков В. Д., Глобус Е. Р. // Прикладная физика. 2001. № 6. С. 66—112.
18. Rietveld H. M. // J. Appl. Ctyst. 1969. V. 2. P. 65—71. 19. Китайгородский А. И. Рентгеноструктурный анализ мелкодисперсных и аморфных тел. М.- Л.: Гос. изд. технико-теорет. лит-ры, 1952. 588 c.
20. Hall W. H. // Proc. Phys. Soc. London. 1949. Sect. A. V. 62. Рart 11. № 359A. P. 741—743.
21. Hall W. H., Williamson G. K. // Proc. Phys. Soc. London. 1951. Sect. B. V. 64. Рart 11. № 383 B. P. 937—946.
22. Williamson G. K, Hall W. H. //Act. Met. 1953. V. 1. № 1. P. 22—31.
23. Зломанов В. П., Новоселова А. В. // ДАН СССP. 1961. Т. 247. № 3. С. 607—609
24. Пашинкин А. С., Спивак М. М. // Неорган. Мат. 1988. Т. 27. № 8. С. 1332—1337.
25. Голубченко Н. В., Иошт М. А., Мошников В. А. и др. // Тезисы докладов Первой Всероссийской конференции “Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах”. ФАГРАН-2002. Воронеж. 2002. С. 165.
26. Гамарц, Е. М., Голубченко Н. В., Мошников В. А. и др. // Материалы электронной техники. 2003. № 4. С. 25—32.
27. Голубченко Н. В., Мошников В. А, Мошников В. А. и др. // Неорган. Мат. 2006. Т. 42. № 9. С. 1040—1049.
Published
2011-12-08
How to Cite
Bakanov, V. M., Smirnova, Z. I., Muhamedzyanov, H. N., Maskaeva, L. N., & Markov, V. F. (2011). THERMAL SENSITIZING OF THE CHEMICALLY DEPOSITED LEAD SELENIDE FILMS. Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 13(4), 401-408. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1070
Issue
Section
Статьи
