TERMODYNAMIC ANALYSES OF THE STRAINED GaInNAs LAYER FORMATION BY THE MOLECULAR BEAM EPITAXY
Abstract
Построена термодинамическая модель молекулярно-пучковой эпитаксии четверных твердых растворов III-III'-V-V' на решеточно-рассогласованных подложках на примере GaxIn1–xNyAs1–y. На основании развитой модели проанализировано встраивание атомарного азота в напряженные гетерослои GaxIn1–xNyAs1–y /GaAs в зависимости от таких параметров роста как температура и скорость роста, внешний поток мышьяка, а так же от содержания индия в слое. Полученные результаты позволяют оптимизировать условия молекулярно-
лучевой эпитаксии напряженных гетерослоев GaInNAs/GaAs, используемых при создании длинноволновых излучателей.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Harris J. S. // Semicond. Sci. Technol. 2002. V. 17. № 8. P. 880.
2. Крыжановская Н. В., Егоров А. Ю., Мамутин В. В. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. № 8. С. 735.
3. Pan Z., Li L. H., Zhang W. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. № 2. № 8. P. 214.
4. Chikalova-Luzina O. P., Ledentsov N. N. // Surf. Sci. and Nanotech. 2006. V. 4. № 1. P. 53.
5. Nagory R. E., Pollack M. A., Beebe E. D. et al. // J. Eletrochem. Soc. 1978. V. 125. № 7. P.1053.
6. Jordan A. S. and Ilegems M. // J. Phys. Chem. Solids. 1975. V. 36. №1. P. 329.
7. Tateno K., Amano C. // J. Electronics Materials. 1999. V. 28. №1. P. 63.
8. Koukitu A. and Seki H. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. Part 2. № 6B. P. L 750.
9. Koukitu A., Kumagai Y., and Seki H. // J. Cryst. Growth. 2000. V. 221. № 1. P. 743.
10. Panish M. B. and Ilegems M. // in Progress in Solid State Chemistry. Pergamon. Oxford. 1972. V. 7. P. 39.
11. Stringlellow G. B. // J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. № 1. P. 21.
12. Handbook Series of Semiconductors Parameters V. 1 / Edited by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M.Shur. Singapore — New Jersey — London — Hong Kong. Wold. Sci.Co. 1966. P. 77, 100, 147, 165.
13. Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices. V. 7. GaN and Related Matrials. / Edited by S.J. Pearton. Cordon and Breach Science Publisher. Singapore. 2000. P. 147.
14. Egorov. F. Yu., Bernclau D., Borchert B. et al. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 227—228. № 1. P. 545.
15. Chikalova-Luzina O. // подготовлено к публикации.
16. Zhukov A. E., Kovsh A. R., Semenova E. S. et al. // Semiconductors. 2002. V. 36. № 7. P. 899.
17. Cheah W. K., Fan W.J., Yoon S. F., et al. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 275 № 1. P. 440.
2. Крыжановская Н. В., Егоров А. Ю., Мамутин В. В. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. № 8. С. 735.
3. Pan Z., Li L. H., Zhang W. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. № 2. № 8. P. 214.
4. Chikalova-Luzina O. P., Ledentsov N. N. // Surf. Sci. and Nanotech. 2006. V. 4. № 1. P. 53.
5. Nagory R. E., Pollack M. A., Beebe E. D. et al. // J. Eletrochem. Soc. 1978. V. 125. № 7. P.1053.
6. Jordan A. S. and Ilegems M. // J. Phys. Chem. Solids. 1975. V. 36. №1. P. 329.
7. Tateno K., Amano C. // J. Electronics Materials. 1999. V. 28. №1. P. 63.
8. Koukitu A. and Seki H. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. Part 2. № 6B. P. L 750.
9. Koukitu A., Kumagai Y., and Seki H. // J. Cryst. Growth. 2000. V. 221. № 1. P. 743.
10. Panish M. B. and Ilegems M. // in Progress in Solid State Chemistry. Pergamon. Oxford. 1972. V. 7. P. 39.
11. Stringlellow G. B. // J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. № 1. P. 21.
12. Handbook Series of Semiconductors Parameters V. 1 / Edited by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M.Shur. Singapore — New Jersey — London — Hong Kong. Wold. Sci.Co. 1966. P. 77, 100, 147, 165.
13. Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices. V. 7. GaN and Related Matrials. / Edited by S.J. Pearton. Cordon and Breach Science Publisher. Singapore. 2000. P. 147.
14. Egorov. F. Yu., Bernclau D., Borchert B. et al. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 227—228. № 1. P. 545.
15. Chikalova-Luzina O. // подготовлено к публикации.
16. Zhukov A. E., Kovsh A. R., Semenova E. S. et al. // Semiconductors. 2002. V. 36. № 7. P. 899.
17. Cheah W. K., Fan W.J., Yoon S. F., et al. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 275 № 1. P. 440.
Published
2010-02-22
How to Cite
Chikalova-Luzina, O. P., & Vyatkin, V. M. (2010). TERMODYNAMIC ANALYSES OF THE STRAINED GaInNAs LAYER FORMATION BY THE MOLECULAR BEAM EPITAXY. Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 12(1), 70-73. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1100
Issue
Section
Статьи
