ВЛИЯНИЕ ДЫРОЧНЫХ ЛОВУШЕК НА ПРОБОЙ МОП-СТРУКТУР

Abstract

Разработана модель численного расчёта напряжения и времени задержки пробоя МОП-структур на основе механизма анодной дырочной инжекции, учитывающая неоднородное распределение дырочных ловушек по толщине диэлектрика. Показано, что напряжение пробоя определяется полной концентрацией дырочных ловушек в объёме подзатворного диэлектрика вблизи катода, а время задержки пробоя подчиняется 1/E экспоненциальной зависимости.