ЭЛЕКТРОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОКСИДОВ Cu(I) И Cu(II), АНОДНО СФОРМИРОВАННЫХ НА МОНОКРИСТАЛЛАХ МЕДИ

Abstract

Свойства оксидов Cu(I) и Cu(II), анодно сформированных на монокристаллической меди в деаэрированном растворе 0.1 M KOH, исследованы с привлечением фотоэлектрохимических и импедансных измерений. Переход от поли- к монокристаллической поверхности, а также предварительное анодное окисление меди существенно замедляют ее коррозионное окисление следами растворенного молекулярного кислорода. Независимо от маршрута образования (коррозия или анодное окисление) оксиды Cu(I) и Cu(II), сформированные на монокристаллах меди, являются полупроводниками p-типа. Коэффициент оптического поглощения и ширина запрещенной зоны в оксидах Cu(I) и Cu(II) практически не зависят от кристаллографической ориентации медной подложки. Потенциал плоских зон слегка смещается в отрицательном направлении, а концентрация носителей заряда уменьшается при переходе от поли- к монокристаллической подложке.