ЭМИССИЯ КОМПЛЕКСНЫХ ИОНОВ-ДИМЕРОВ ВИДА «ПРИМЕСЬ ЦИНКА—МАТРИЧНЫЙ АТОМ» ИЗ СОЕДИНЕНИЙ GаX (X ≡ N, P, As, Sb)

Abstract

Изучали эмиссию комплексных примесных атомов цинка из полупроводниковых соединений GaX (X ≡ N, P, As, Sb). Сравнивали эмиссионные параметры при бомбардировке мишеней ионами кислорода (О2+) и цезия (Cs+). Параллельно, в том же режиме записывали сигнал атомарных ионов Zn+.

Измерения проводили с помощью образцов, в которые цинк внедрен ионной имплантацией. Показано, что выходы комплексных ионов GaZn+ для некоторых мишеней сравнимы с ионными выходами CsZn+. Для практики послойного анализа это означает возможность определять в одном эксперименте одновременно с цинком другие электроположительные элементы, используя первичный пучок ионов кислорода. Экспериментально проверена возможность определения цинка при записи масс-спектра отрицательных вторичных ионов. На основе полученных данных сделаны предположения о механизме эмиссии комплексных ионов с цинком.