ANALYSIS OF CAPACITANCE-VOLTAGE HARACTERISTICS OF ZnO:RE THIN FILMS ON SILICONE SUBSTRATES BY THE THERMAN METHOD

Authors

  • Victoria V. Malyutina-Bronskaya junior researcher, State Research Institution «B.I. Stepanov Insitute of Physics of NAS of Belarus»; tel.: +375(17) 2813222, e-mail: v_malyutina@rambler.ru
  • Valery В. Zalesski PhD (Eng.), head of the laboratory, State Research Institution «B.I. Stepanov Insitute of Physics of NAS of Belarus»; tel.: +375(17) 2813229, e-mail: zalesski@inel.bas-net.by
  • Tamara R. Leonova researcher, State Research Institution «B.I. Stepanov Insitute of Physics of NAS of Belarus»; tel.: +375(17) 2813229, e-mail: leonova@ inel.bas-net. by
  • Oleg A. Grebenschikov researcher, State Research Institution «B.I. Stepanov Insitute of Physics of NAS of Belarus»; tel.: +375(17) 2813229, e-mail: greben317@gmail.com

Keywords:

магнетронное распыление, вольт-фарадные характеристики, метод Термана, ZnO, поверхностные состояния.

Abstract

Методом магнетронного распыления на постоянном токе получены пленки ZnO, легированные редкоземельными элементами (эрбием и европием), на кремниевых подложках. Сформированы МОП-структуры и измерены их высокочастотные вольт-фарадные характеристики. Для структур Al-Ni/ZnO:RE/Si методом Термана получены основные параметры и спектры плотности поверхностных состояний.

Downloads

Download data is not yet available.

References

Downloads

Published

2012-12-20

Issue

Section

Статьи

How to Cite

ANALYSIS OF CAPACITANCE-VOLTAGE HARACTERISTICS OF ZnO:RE THIN FILMS ON SILICONE SUBSTRATES BY THE THERMAN METHOD. (2012). Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 14(4), 433-437. https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1001