COMPOSITION AND MORPHOLOGY OF THE CHEMICALLY DEPOSITED Cu2Se - Ga2Se3 FILMS
Keywords:
тонкие пленки, селенид меди (I), селенид галлия, гидрохимическое осаждение.Abstract
Расчетом ионных равновесий с использованием термодинамических констант в системе «Ga(NO3)3 — CuCl2 — Na2SeSO3» определены граничные условия образования селенидов меди Cu2Se и галлия Ga2Se3 и их гидроксидов с учетом образования зародышей критического радиуса. Экспериментально показана возможность получения гидрохимическим осаждением тонких пленок GaxCu1−xSeyO2−y на двух типах подложек. Проведены исследования их составов и морфологии.








