О НЕМОНОТОННОМ ИЗМЕНЕНИИ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ОУНТ В ОБЛАСТИ СВЕРХМАЛЫХ ДИАМЕТРОВ

Eugenie N. Bormontov; Alexander A. Ganin; Larisa A. Bitytskaya

Authors

Eugenie N. Bormontov grand PhD (physical and mathematical sciences), professor, chair of physic of semiconductor and microelectronics, Voronezh State University; tel.: (4732) 208633, e-mail: me144@phys.vsu.
Alexander A. Ganin the post-graduate student, chair of physic of semiconductor and microelectronics, Voronezh State University; tel.: (910) 3467463
Larisa A. Bitytskaya PhD (chemistry sciences), assistant of professor chair of physic of semiconductor and microelectronics, Voronezh State University; tel.: (951) 8789667, e-mail: me144@phys.vsu.ru

Keywords:

углеродные нанотрубки, зонная структура, ширина запрещенной зоны, диаметр, хиральность, симметрия, теория функционала плотности.

Abstract

При исследовании электронных свойств углеродных нанотрубок с контролируемыми индексами хиральности методом DFT LSDA с использованием программных средств Gaussian, TubeGen в области сверхмалых диаметров (0.3—2 нм) у полупроводни ковых ОУНТ
выявлено немонотонное осциллирующее изменение ширины запрещенной зоны, связанное с малостью индексов хиральности, определяющих симметрию и кривизну нанотрубок. Для сверхмалых диаметров хиральностей (0, 4), (0, 5) обнаружено вырождение зонной структуры полупроводниковых трубок, приводящее к металлическим свойствам и нарушению правила 3k классификации ОУНТ по электрофизическим свойствам.