EFFECT OF DEPOSITION CONDITIONS ON THE COMPOSITION AND STRUCTURE OF SiC FILMS

Authors

  • Vitaly A. Tarala PhD (chemistry sciences), senior scientifi c employee, South Scientifi c Center RAS; tel.: (8652) 944172, e-mail: Vitaly-tarala@yandex.ru

Keywords:

карбид кремния, тонкие пленки, структура, состав, хлорсодержащие крем- нийорганические соединения.

Abstract

Исследованы пленки карбида кремния, синтезированные в реакторах с горячей и холодной стенками методом химического осаждения из парогазовой смеси, содержащей кремнийорганические соединения ((CH3)3SiCl, (CH3)2SiCl2, CH3SiCl3) в водороде. Установлено,
что при температурах осаждения в области 900 °C происходит изменение структуры пленки карбида кремния от аморфной до аморфно-кристаллической. При температурах синтеза до 900 °C повышение концентрации водорода в парогазовой смеси ведет к увеличению его концентрации в пленке. Использование дополнительной термической активации парогазовой смеси (реализация процесса в реакторе с горячей стенкой) позволяет снизить температуру синтеза с 950 °C до 700 °C.

Downloads

Download data is not yet available.

References

Downloads

Published

2011-09-25

Issue

Section

Статьи

How to Cite

EFFECT OF DEPOSITION CONDITIONS ON THE COMPOSITION AND STRUCTURE OF SiC FILMS. (2011). Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 13(3), 348-357. https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1064