EFFECT OF DEPOSITION CONDITIONS ON THE COMPOSITION AND STRUCTURE OF SiC FILMS
Keywords:
карбид кремния, тонкие пленки, структура, состав, хлорсодержащие крем- нийорганические соединения.Abstract
Исследованы пленки карбида кремния, синтезированные в реакторах с горячей и холодной стенками методом химического осаждения из парогазовой смеси, содержащей кремнийорганические соединения ((CH3)3SiCl, (CH3)2SiCl2, CH3SiCl3) в водороде. Установлено,
что при температурах осаждения в области 900 °C происходит изменение структуры пленки карбида кремния от аморфной до аморфно-кристаллической. При температурах синтеза до 900 °C повышение концентрации водорода в парогазовой смеси ведет к увеличению его концентрации в пленке. Использование дополнительной термической активации парогазовой смеси (реализация процесса в реакторе с горячей стенкой) позволяет снизить температуру синтеза с 950 °C до 700 °C.








