TERMODYNAMIC ANALYSES OF THE STRAINED GaInNAs LAYER FORMATION BY THE MOLECULAR BEAM EPITAXY

Abstract

Построена термодинамическая модель молекулярно-пучковой эпитаксии четверных твердых растворов III-III'-V-V' на решеточно-рассогласованных подложках на примере GaxIn1–xNyAs1–y. На основании развитой модели проанализировано встраивание атомарного азота в напряженные гетерослои GaxIn1–xNyAs1–y /GaAs в зависимости от таких параметров роста как температура и скорость роста, внешний поток мышьяка, а так же от содержания индия в слое. Полученные результаты позволяют оптимизировать условия молекулярно-
лучевой эпитаксии напряженных гетерослоев GaInNAs/GaAs, используемых при создании длинноволновых излучателей.