ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И СУБСТРУКТУРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ НАНОСЛОЕВ ТВЕРДОГО РАСТВОРА КРЕМНИЙ-ОЛОВО НА КРЕМНИИ ПО ДАННЫМ СИНХРОТРОННЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

Сергей Юрьевич Турищев; Владимир Андреевич Терехов; Александр Александрович Тонких; Николай Дмитриевич Захаров; Антон Витальевич Анисимов; Ольга Александровна Чувенкова; Юрий Алексеевич Юраков; Елена Владимировна Паринова; Дмитрий Анатольевич Коюда; Борис Владимирович Сеньковский

Authors

Сергей Юрьевич Турищев
Владимир Андреевич Терехов
Александр Александрович Тонких
Николай Дмитриевич Захаров
Антон Витальевич Анисимов
Ольга Александровна Чувенкова
Юрий Алексеевич Юраков
Елена Владимировна Паринова
Дмитрий Анатольевич Коюда
Борис Владимирович Сеньковский

Keywords:

атомное и электронное строение, система кремний - олово, плотность состояний, энергия связи, эпитаксиальные нанослои, твердые растворы, синхротронное излучение, рентгеновская и электронная спектроскопия

Abstract

Методами спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения (XANES) и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) с применением синхротронного излучения исследованы особенности атомного и электронного строения, а также химической связи в нанослоях эпитаксиальных структур кремний-олово. Показана возможность формирования эпитаксиального SiSn слоя в области концентраций, значительно превышающей предел растворимости Sn в Si. Перестройка локальной плотности электронных состояний указывает на формирование твердого раствора, близкого к Si0.92Sn0.08.