ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И СУБСТРУКТУРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ НАНОСЛОЕВ ТВЕРДОГО РАСТВОРА КРЕМНИЙ-ОЛОВО НА КРЕМНИИ ПО ДАННЫМ СИНХРОТРОННЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
Abstract
Методами спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения (XANES) и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) с применением синхротронного излучения исследованы особенности атомного и электронного строения, а также химической связи в нанослоях эпитаксиальных структур кремний-олово. Показана возможность формирования эпитаксиального SiSn слоя в области концентраций, значительно превышающей предел растворимости Sn в Si. Перестройка локальной плотности электронных состояний указывает на формирование твердого раствора, близкого к Si0.92Sn0.08.