ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И СУБСТРУКТУРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ НАНОСЛОЕВ ТВЕРДОГО РАСТВОРА КРЕМНИЙ-ОЛОВО НА КРЕМНИИ ПО ДАННЫМ СИНХРОТРОННЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

Сергей Юрьевич Турищев; Владимир Андреевич Терехов; Александр Александрович Тонких; Николай Дмитриевич Захаров; Антон Витальевич Анисимов; Ольга Александровна Чувенкова; Юрий Алексеевич Юраков; Елена Владимировна Паринова; Дмитрий Анатольевич Коюда; Борис Владимирович Сеньковский

ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И СУБСТРУКТУРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ НАНОСЛОЕВ ТВЕРДОГО РАСТВОРА КРЕМНИЙ-ОЛОВО НА КРЕМНИИ ПО ДАННЫМ СИНХРОТРОННЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

Сергей Юрьевич Турищев
Владимир Андреевич Терехов
Александр Александрович Тонких
Николай Дмитриевич Захаров
Антон Витальевич Анисимов
Ольга Александровна Чувенкова
Юрий Алексеевич Юраков
Елена Владимировна Паринова
Дмитрий Анатольевич Коюда
Борис Владимирович Сеньковский

Abstract

Методами спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения (XANES) и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) с применением синхротронного излучения исследованы особенности атомного и электронного строения, а также химической связи в нанослоях эпитаксиальных структур кремний-олово. Показана возможность формирования эпитаксиального SiSn слоя в области концентраций, значительно превышающей предел растворимости Sn в Si. Перестройка локальной плотности электронных состояний указывает на формирование твердого раствора, близкого к Si0.92Sn0.08.

Downloads

Download data is not yet available.

pdf (Русский)

Published

2016-06-09

How to Cite

Турищев, С. Ю., Терехов, В. А., Тонких, А. А., Захаров, Н. Д., Анисимов, А. В., Чувенкова, О. А., Юраков, Ю. А., Паринова, Е. В., Коюда, Д. А., & Сеньковский, Б. В. (2016). ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И СУБСТРУКТУРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ НАНОСЛОЕВ ТВЕРДОГО РАСТВОРА КРЕМНИЙ-ОЛОВО НА КРЕМНИИ ПО ДАННЫМ СИНХРОТРОННЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Condensed Matter and Interphases, 18(2), 265-274. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/133

Issue

Vol 18 No 2 (2016)

Section

Статьи