ОСОБЕННОСТИ ПЛОТНОСТИ КВАЗИЛОКАЛЬНЫХ СОСТОЯНИЙ ПРИ НАЛИЧИИ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ C БИКВАДРАТНЫМ ЗАКОНОМ ДИСПЕРСИИ

Abstract

Проведен анализ плотности стационарных квазилокальных состояний сплошного спектра, возникающих за счет наличия дефектов в полупроводниковом кристалле с биквадратной зависимостью в низкоэнергетической ветви закона дисперсии. Изучено влияние плоского и точечного дефектов на особенности спектральной плотности квазилокальных состояний. Показано, что спектральная плотность имеет строгий максимум вследствие наличия квазилокального уровня энергии в системе. В случае плоского дефекта энергия квазилокального уровня смещена относительно резонансной энергии полного отражения квазичастицы от дефекта.