ОСОБЕННОСТИ ПЛОТНОСТИ КВАЗИЛОКАЛЬНЫХ СОСТОЯНИЙ ПРИ НАЛИЧИИ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ C БИКВАДРАТНЫМ ЗАКОНОМ ДИСПЕРСИИ

  • Сергей Евгеньевич Савотченко

Abstract

Проведен анализ плотности стационарных квазилокальных состояний сплошного спектра, возникающих за счет наличия дефектов в полупроводниковом кристалле с биквадратной зависимостью в низкоэнергетической ветви закона дисперсии. Изучено влияние плоского и точечного дефектов на особенности спектральной плотности квазилокальных состояний. Показано, что спектральная плотность имеет строгий максимум вследствие наличия квазилокального уровня энергии в системе. В случае плоского дефекта энергия квазилокального уровня смещена относительно резонансной энергии полного отражения квазичастицы от дефекта.

Downloads

Download data is not yet available.
Published
2015-05-28
How to Cite
Савотченко, С. Е. (2015). ОСОБЕННОСТИ ПЛОТНОСТИ КВАЗИЛОКАЛЬНЫХ СОСТОЯНИЙ ПРИ НАЛИЧИИ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ C БИКВАДРАТНЫМ ЗАКОНОМ ДИСПЕРСИИ. Condensed Matter and Interphases, 17(2), 219-226. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/65
Section
Статьи