MECHANISMS OF OXIDATION IN THIN FILMS OF TIN
Keywords:
SnO2, окисление олова, электропроводность, оптическая спектроскопия, дефектообразование, вакансии кислорода.Abstract
В процессе термического окисления тонких пленок олова обнаружено немонотонное изменение их электропроводности. Предложены и обоснованы механизмы окисления, объясняющие такое поведение. Вначале на поверхности металлических кристаллитов формируется высокоомная оксидная оболочка. При температуре выше 250—300 °C включается диффузионный механизм окисления. Особенностью этого механизма является преимущественная диффузия ионов олова через оксидную оболочку к поверхности кристаллитов, где олово взаимодействует с кислородом. В результате этого процесса нарушается стехиометрия оксидной оболочки, ее электропроводность растет. Основным типом дефектов в таких пленках оксида олова являются вакансии кислорода. Дальнейшее увеличение температуры приводит к восстановлению стехиометрии пленок.
