МЕМРИСТОРНЫЙ ЭФФЕКТ В СЭНДВИЧ-СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ОЛОВА

S. V. Ryabtsev; A. Е. Popov; F. M. Chernyshov; N. S. Ryabtseva; E. P. Domashevskaya

Авторы

S. V. Ryabtsev Рябцев С. В. — д.ф.-мат.н., Воронежский государственный университет; e-mail: ryabtsev@niif.vsu.ru
A. Е. Popov Попов А. Е. — аспирант, Воронежский государственный университет; e-mail: ftt@phys.vsu.ru
F. M. Chernyshov Чернышов Ф. М. — аспирант, Воронежский государственный университет; e-mail: ftt@phys.vsu.ru
N. S. Ryabtseva Рябцева Н. С. — студентка, Воронежский государственный университет; e-mail: RNS77@yandex.ru
E. P. Domashevskaya Домашевская Э. П. — д.ф.-мат.н., профессор, Воронежский государственный университет; e-mail: ftt@phys.vsu.ru

Ключевые слова:

мемристорный эффект, нестехиометрический оксид олова, вакансии кислорода, сэндвич-структура Si-SnO2–x-Au, вольт-амперные характеристики.

Аннотация

Методом контролируемого термического окисления слоев металлического олова получены тонкие пленки нестехиометрического оксида олова. На его основе изготовлены планарная структура Pt-SnO2–x-Pt и сэндвич-структура Si-SnO2–x-Au-. Вольт-амперные характеристики планарной структуры Pt-SnO2–x-Pt имеют гистерезис на частотах тестового сигнала ниже 10 Гц, который обусловлен подвижностью кислородных вакансий в SnO2–x. При поляризации сэндвич-структуры Si-SnO2–x-Au обнаружен мемристорный эффект. Изучены временная устойчивость мемристорного эффекта и его обратимость.