ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ФОРМИРОВАНИЯ НАПРЯЖЕННЫХ СЛОЕВ GaInNAs ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВОЙ ЭПИТАКСИИ

O. P. Chikalova-Luzina; V. M. Vyatkin

Авторы

O. P. Chikalova-Luzina Чикалова-Лузина О. П. — к.ф.-м.н., Физико- технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; e-mail: o_ chikalova@mail.ru
V. M. Vyatkin Вяткин В. М. — к.ф.-м.н., доцент, Санкт Петербургский государственный электротехнический университет («ЛЭТИ»); e-mail: vadim.vyatkin@gmail.com

Ключевые слова:

гетеростуктуры, МПЭ, термодинамический анализ, четверные нитриды, GaInNAs.

Аннотация

Построена термодинамическая модель молекулярно-пучковой эпитаксии четверных твердых растворов III-III'-V-V' на решеточно-рассогласованных подложках на примере GaxIn1–xNyAs1–y. На основании развитой модели проанализировано встраивание атомарного азота в напряженные гетерослои GaxIn1–xNyAs1–y /GaAs в зависимости от таких параметров роста как температура и скорость роста, внешний поток мышьяка, а так же от содержания индия в слое. Полученные результаты позволяют оптимизировать условия молекулярно-
лучевой эпитаксии напряженных гетерослоев GaInNAs/GaAs, используемых при создании длинноволновых излучателей.