ВЛИЯНИЕ УПРУГИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ТВЕРДОФАЗНУЮ РАСТВОРИМОСТЬ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ InSb — InAs

Т. Р. Sushkova; G. V. Semenova

Авторы

Т. Р. Sushkova Сушкова Т. П. — доцент кафедры общей и неорганической химии, Воронежский государственный университет; тел.: (4732) 208610
G. V. Semenova Семенова Г. В. — профессор кафедры общей и неорганической химии, Воронежский государственный университет; e-mail: semen157@chem.vsu.ru

Ключевые слова:

твердофазная растворимость; область распада твердого раствора; эпитак- сиальные пленки; упругие напряжения.

Аннотация

На основании расчета температурно-концентрационной зависимости свободной энергии Гиббса установлено, что в системе InSb — InAs при 300 К растворимость не превышает 5—7 мол.% с обеих сторон. В случае эпитаксиальных пленок под влиянием упругих
напряжений, возникающих из-за несоответствия периодов решетки пленки и подложки, пределы растворимости изменяются. Стабилизирующее влияние оказывают только те подложки, период решетки которых лежит в интервале 0,610—0,644 нм. На подложке, изопериодной эквимолярному составу, возможно получение гомогенных твердых растворов InSb1–xAsx во всем интервале концентраций при толщине пленок 10 нм.