ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКСИДИРОВАНИЕ КАК СПОСОБ СОЗДАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПЛЕНОК НА ПОЛУПРОВОДНИКАХ AIIIBV: ХЕМОСТИМУЛИРУЮЩЕЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ ОБЗОР

E. V. Tominа; I. Ya. Mittova; B. V. Sladkopevtsev; V. F. Kostryukov; A. A. Samsonov; N. N. Tretyakov

doi:10.17308/kcmf.2018.20/522

Авторы

E. V. Tominа Томина Елена Викторовна – д. х. н., доцент, доцент кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: +7(473) 2208356; e-mail: tomina-e-v@yandex.ru
I. Ya. Mittova Миттова Ирина Яковлевна – д. х. н., профессор, профессор кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: +7(473) 2208356; e-mail: imittova@mail.ru
B. V. Sladkopevtsev Сладкопевцев Борис Владимирович – к. х. н., доцент кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: +7(905) 6505334; e-mail: dp-kmins@yandex.ru
V. F. Kostryukov Кострюков Виктор Федорович – д. х. н., доцент, доцент кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: +7(473) 2208356; e-mail: vc@chem.vsu.ru
A. A. Samsonov Самсонов Алексей Алексеевич – к. х. н., ведущий инженер кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: +7(903) 6536485; e-mail: samsonjr@mail.ru
N. N. Tretyakov Третьяков Никита Николаевич – выпускник кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: +7(952) 5519531; e-mail: nikos31@mail.ru

DOI:

https://doi.org/10.17308/kcmf.2018.20/522

Ключевые слова:

фосфид индия, арсенид галлия, термооксидирование, хемостимулятор, наноразмерные плёнки, .

Аннотация

Рассмотрены особенности хемостимулирующего воздействия оксидов металлов на процесс термооксидирования полупроводников A^IIIB^V. Установлено, что химическая природа оксида-хемостимулятора и способ его введения в систему (из газовой фазы или нанесение на поверхность полупроводника) определяют механизм процесса. Оксиды р-металлов (PbO, Sb₂O₃, Bi₂O₃) реализуют транзитный механизм оксидирования независимо от способа их введения в систему. Оксиды d-металлов (MnO₂, V₂O₅, CrO₃), вводимые через газовую фазу, выступают в роли хемостимуляторов-транзиторов. Воздействие наноразмерных слоев NiO и Co₃O₄ развивается по транзитному типу. Для нанесённых на поверхность полупроводника наноразмерных слоёв V₂O₅ механизм их воздействия на процесс оксидирования А^IIIВ^V в значительной мере определяется методом нанесения (в рамках одного способа) – мягким или жёстким.