THERMAL OXIDATION OF GaAs UNDER INFLUENCE OF COMPOSITIONS OF Sb2O3, Bi2O3, MnO, MnO2 AND V2O5 WITH OXIDES OF ALUMINIUM AND YTTRIUM
Abstract
Использование оксидных композиций, состоящих из хемостимулятора (Sb2O3, Bi2O3, MnO, MnO2,V2O5) и инертного по отношению к окисляемому полупроводнику оксида (Al2O3, Y2O3) позволило обнаружить линейное изменение толщины оксидного слоя на GaAs в
зависимости от состава композиций, представляющее собой аддитивную прямую. Для композиций с участием Y2O3 эта аддитивность зафиксирована во всем интервале составов. При отсутствии взаимодействий между оксидами в композициях, заключающихся в образовании совместных фаз и твердых растворов, выявлены дополнительные факторы, обусловливающие отклонения от аддитивности. В присутствии Al2O3 изменяется режим собственных превращений оксидов-хемостимуляторов композиции, приводящих, в конечном счете, к изменению характера их воздействия на оксидирование GaAs.
Downloads
References
2. Wilmsen C.W. // Thin Solid Films. 1976. V. 30. № 1—2—3. P. 105—117.
3. Миттова И.Я., Кострюков В.Ф., Пшестанчик В.Р. и др. // Журн. Неорган. химии. 2002. Т. 47. № 6. С. 886—891.
4. Миттова И.Я., Пшестанчик В.Р., Кострюков В.Ф. и др. // Журн. Неорган. химии. 2003. Т. 48. № 4. С. 559—562.
5. Миттова И.Я. // Вестник Воронежского государственного университета. Серия химия, биология. 2000. С. 5—12.
6. Миттова И.Я., Лопатин С.И., Пшестанчик В.Р. и др. // Ж. Неорган. Химии. 2005. Т 50. № 10. С. 1599—1602.
7. Пенской П.К. Автореф. дисс… канд. химич. наук. Воронеж, 2009. 191 с.
8. Кольцов С.И., Громов В.К., Рачковский Р.Р. Эллипсометрический метод исследования поверхности твердых веществ. Л.: Наука, 1983. 248 с.
9. Накомото К. ИК-спектры неорганических и координационных соединений. М.: Мир, 1991. 536 с.
10. Гоулдстейн Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ: В 2-х книгах. Пер. с англ. М. Мир, 1984.
11. Уэндландт У. Термические методы анализа. М.: Мир, 1978. 528 с.
12. X-ray diffraction date cards, ASTM.
13. Грег С. Синг К. Адсорбция, удельная поверхность, пористость. Пер. с англ. 2-е изд. М.: Мир, 1984. 306 с.
14. Wagman D.D., Evans W.H., Parker V.B., et al. // J. Phys. Chem. Ref. Data. 1982. V. 11. Suppl. 2. 394 p.
15. Миттова И.Я., Пшестанчик В.Р., Кострюков В.Ф. // Докл. РАН 1996. Т. 349. № 5. С. 641—643.
16. Немодрук А.А. Аналитическая химия сурьмы (серия «Аналитическая химия элементов»). М.: Наука, 1978. 223 с.
17.Масленникова Г.И. , Мамаладзе Р.А., Мидзута С. и др. Керамические материалы. 1991. 320 с.
18. Казенас Е.К., Цветков Ю.В. Испарение оксидов М.: Наука, 1997. 543 с.
