ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ КЛАССА A2IIIB3VI НА ПОДЛОЖКАХ AIIIBV

G. I. Kotov; S. V. Kuzubov; В. L. Agapov; G. A. Panin; N. N. Bezryadin

Authors

G. I. Kotov PhD (Phys.-Math.), associate professor, Voronezh State University of Engineering Technology; e-mail: phys@vsuet.ru
S. V. Kuzubov PhD (Phys.-Math.), Voronezh State University of Engineering Technology; e-mail: phys@vsuet.ru
В. L. Agapov PhD (Eng.), Voronezh State University of Engineering Technology; e-mail: phys@vsuet.ru
G. A. Panin post graduate student, Voronezh State University of Engineering Technology; e-mail: phys@vsuet.ru
N. N. Bezryadin grand PhD (Phys.-Math.), professor, Voronezh State University of Engineering Technology; e-mail: phys@vsuet.ru

Keywords:

наногетероструктура, арсенид галлия, арсенид индия, фосфид галлия, селенид галлия, селенид индия, толщина слоев широкозонных полупроводников

Abstract

На основе изучения кинетики образования наногетероструктур A2IIIB3VI — AIIIBV методами эллипсометрии, рентгеноспектрального микроанализа (РСМА) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) установлена корреляция результатов измерения толщины слоев широкозонных полупроводников AIII2BVI3, образующихся в процессе гетеровалетного замещения при термическом отжиге подложек полупроводников AIIIBV (GaAs-, InAs-, GaP-) в парах селена. Сделан вывод о возможности использования метода РСМА в качестве основного при изучении кинетики образования тонких пленок, включая начальные стадии формирования наногетероструктур типа A2IIIB3VI — AIIIBV.