DETERMINATION OF THE THICKNESS NANOSIZED FILMS OF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS A2IIIB3VI CLASS ON SUBSTRATES AIIIBV
Abstract
На основе изучения кинетики образования наногетероструктур A2IIIB3VI — AIIIBV методами эллипсометрии, рентгеноспектрального микроанализа (РСМА) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) установлена корреляция результатов измерения толщины слоев широкозонных полупроводников AIII2BVI3, образующихся в процессе гетеровалетного замещения при термическом отжиге подложек полупроводников AIIIBV (GaAs-, InAs-, GaP-) в парах селена. Сделан вывод о возможности использования метода РСМА в качестве основного при изучении кинетики образования тонких пленок, включая начальные стадии формирования наногетероструктур типа A2IIIB3VI — AIIIBV.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Howe P., Le Ru E.C., Murray R., et al. //Crystal Growth. 2005. V. 278. P. 57—60.
2. Гурьянов Г. М., Демидов В. Н., Корнеева Н. П. и др. // ЖТФ. 1997. Т. 67. № 8. С. 111—116.
3. Болтарь К. О., Федирко В. А. // ФТП. 1996. Т. 30. № 11. С. 1993—2001.
4. Биленко Д. И., Сагайдачный А. А., Галушка В. В. и др. // ЖТФ. 2010. Т. 80. № 10. С. 89—94.
5. Сухорукова М. В., Скороходова И. А., Хвостиков В. П. // ФТП. 2000. Т. 34. № 1. С. 57—61.
6. Назаренко И. Н., Дорофеев Д. Л. // Вестник ВГУ. Серия химия, биология. 2001. № 1. С. 164—169.
7. Беляева А. И., Галуза А. А., Коломиец С. Н. // ФТП. 2004. Т. 38. № 9. С. 1050—1055.
8. Макеев М. О., Мигаль Д. Э., Иванов Ю. А. и др. // Материалы VII Международной научно-технической конференции «INTERMATIC-2010». 23—27 ноября 2010 г., Москва. Ч. 2. С. 55—61.
9. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Назаренко И. Н. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004. Т. 6. № 3. С. 225—228.
10. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Кузубов С. В. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. Т. 12. № 1. С. 28—35.
11. Попова Т. Б., Бакалейников Л. А., Флегонтова Е. Ю. и др. // ФТП. 2011. Т. 45. № 2. С. 263—267.
12. Котов Г. И., Кузубов С. В., Власов Ю. Н. и др. // Твердотельная электроника и микроэлектроника (межвуз. сб. науч. тр.) ВГТУ. Воронеж, 2011. С. 8—11.
13. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Арсентьев И. Н., Стародубцев А. А. // ФТП. 2005. Т. 39. № 9. С. 1025—1028.
14. Гоулдстейн Дж. Ньюбери Д., Эчлин П. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Книга 1. М.: Мир, 1984. 303 с.
15. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Кузубов С. В. и др. // Кристаллография. 2010. Т. 55. № 5. С. 896—899.
16. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Кузубов С. В. и др. // Кристаллография. 2011. Т. 56. № 3. С. 565—569.
17. Котов Г. И., Кузубов С. В. Агапов Б. Л. и др. // Твердотельная электроника и микроэлектроника (межвуз. сб. науч. тр.) ВГТУ. Воронеж, 2010. С. 119—123.
2. Гурьянов Г. М., Демидов В. Н., Корнеева Н. П. и др. // ЖТФ. 1997. Т. 67. № 8. С. 111—116.
3. Болтарь К. О., Федирко В. А. // ФТП. 1996. Т. 30. № 11. С. 1993—2001.
4. Биленко Д. И., Сагайдачный А. А., Галушка В. В. и др. // ЖТФ. 2010. Т. 80. № 10. С. 89—94.
5. Сухорукова М. В., Скороходова И. А., Хвостиков В. П. // ФТП. 2000. Т. 34. № 1. С. 57—61.
6. Назаренко И. Н., Дорофеев Д. Л. // Вестник ВГУ. Серия химия, биология. 2001. № 1. С. 164—169.
7. Беляева А. И., Галуза А. А., Коломиец С. Н. // ФТП. 2004. Т. 38. № 9. С. 1050—1055.
8. Макеев М. О., Мигаль Д. Э., Иванов Ю. А. и др. // Материалы VII Международной научно-технической конференции «INTERMATIC-2010». 23—27 ноября 2010 г., Москва. Ч. 2. С. 55—61.
9. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Назаренко И. Н. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004. Т. 6. № 3. С. 225—228.
10. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Кузубов С. В. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. Т. 12. № 1. С. 28—35.
11. Попова Т. Б., Бакалейников Л. А., Флегонтова Е. Ю. и др. // ФТП. 2011. Т. 45. № 2. С. 263—267.
12. Котов Г. И., Кузубов С. В., Власов Ю. Н. и др. // Твердотельная электроника и микроэлектроника (межвуз. сб. науч. тр.) ВГТУ. Воронеж, 2011. С. 8—11.
13. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Арсентьев И. Н., Стародубцев А. А. // ФТП. 2005. Т. 39. № 9. С. 1025—1028.
14. Гоулдстейн Дж. Ньюбери Д., Эчлин П. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Книга 1. М.: Мир, 1984. 303 с.
15. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Кузубов С. В. и др. // Кристаллография. 2010. Т. 55. № 5. С. 896—899.
16. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Кузубов С. В. и др. // Кристаллография. 2011. Т. 56. № 3. С. 565—569.
17. Котов Г. И., Кузубов С. В. Агапов Б. Л. и др. // Твердотельная электроника и микроэлектроника (межвуз. сб. науч. тр.) ВГТУ. Воронеж, 2010. С. 119—123.
Published
2012-12-20
How to Cite
Kotov, G. I., Kuzubov, S. V., AgapovВ. L., Panin, G. A., & Bezryadin, N. N. (2012). DETERMINATION OF THE THICKNESS NANOSIZED FILMS OF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS A2IIIB3VI CLASS ON SUBSTRATES AIIIBV. Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 14(4), 429-432. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1000
Issue
Section
Статьи
