ПОВЕРХНОСТНАЯ ФАЗА Ga2Se3 НА GaP (111) ©
Ключевые слова:
фосфид галлия, селенид галлия, пассивация, реконструкция поверхности, гетероструктура с барьером Шоттки.Аннотация
В работе представлены результаты исследования структурно-фазовых превращений на поверхности GaP (111) в процессе термической обработки в парах селена в квазизамкнутом объёме. Структура поверхности GaP (111) исследована методом микродифракции
с помощью просвечивающего электронного микроскопа. Обнаружена псевдоморфная поверхностная фаза Ga2Se3(111)(√3×√3)-R300 с 33.3 % упорядоченных стехиометрических вакансий галлия. Электрофизические характеристики гетероструктур с барьером Шоттки исследованы методами вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопией глубоких уровней. Обработка в парах селена приводит к откреплению уровня Ферми за счёт снижения плотности поверхностных электронных состояний на поверхности GaP. Определены условия обработки, обеспечивающие значения высоты барьера (φb) 0.4 эВ для контакта из Al и 1.3 эВ для контакта из Au с коэффициентом неидеальности близким к единице.
