SURFACE PHASE Ga2Se3 ON GaP (111)

Authors

  • N. N. Bezryadin Dr. Sci. (Phys.-Math.), Professor, Chief of Physic Department, Voronezh State University of Engineering technology; e-mail: phys@vsuet.ru
  • G. I. Kotov Cand. Sci. (Phys.-Math.), Associate Professor of Physic Department, Voronezh State University of Engineering technology; e-mail: giktv@mail.ru
  • S. V. Kuzubov Cand. Sci. (Phys.-Math.), Voronezh Institute of the State Fire Service MES of Russia; e-mail: kuzub@land.ru
  • Yu N. Vlasov Cand. Sci. (Phys.-Math.), Assistant Professor of Physic Department, Voronezh State University of Engineering technology; e-mail: phys@vsuet.ru
  • G. A. Panin graduate student of Physic Department, Voronezh State University of Engineering technology; e-mail: phys@vsuet.ru
  • A. V. Kortunov graduate student of Physic Department, Voronezh State University of Engineering technology; e-mail: phys@vsuet.ru
  • A. N. Ryazanov Cand. Sci. (Tech.), Associate Professor, Voronezh State University of Engineering technology; e-mail: phys@vsuet.ru

Keywords:

фосфид галлия, селенид галлия, пассивация, реконструкция поверхности, гетероструктура с барьером Шоттки.

Abstract

В работе представлены результаты исследования структурно-фазовых превращений на поверхности GaP (111) в процессе термической обработки в парах селена в квазизамкнутом объёме. Структура поверхности GaP (111) исследована методом микродифракции
с помощью просвечивающего электронного микроскопа. Обнаружена псевдоморфная поверхностная фаза Ga2Se3(111)(√3×√3)-R300 с 33.3 % упорядоченных стехиометрических вакансий галлия. Электрофизические характеристики гетероструктур с барьером Шоттки исследованы методами вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопией глубоких уровней. Обработка в парах селена приводит к откреплению уровня Ферми за счёт снижения плотности поверхностных электронных состояний на поверхности GaP. Определены условия обработки, обеспечивающие значения высоты барьера (φb) 0.4 эВ для контакта из Al и 1.3 эВ для контакта из Au с коэффициентом неидеальности близким к единице.

Downloads

Download data is not yet available.

References

Downloads

Published

2013-12-04

Issue

Section

Статьи

How to Cite

SURFACE PHASE Ga2Se3 ON GaP (111). (2013). Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 15(4), 382-386. https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/922

Most read articles by the same author(s)