STRUCTURE OF INTERFACE Ga2Se3 - Si(100)
Abstract
Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована гетерограница Ga2Se3-Si(100), сформированная напылением в квазизамкнутом объеме из независимых источников галлия и селена. Предварительная обработка кремниевой подложки в потоке Ga с
целью удаления естественного оксида позволяет получать монокристаллические эпитаксиальные пленки Ga2Se3. Установлены технологические параметры процесса, когда на микродифракционных изображениях появляются «видимые» плоскости Ga2Se3 (110) и (310), присутствие которых свидетельствуют о реконструкции поверхности Si(100) по типу (2×1) или с(4×2).
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник: Пер. с англ. М.: Мир, 1975. 432 с.
2. Алферов Ж. И. // ФТП. 1998. Т. 32. № 1. С. 3—18.
3. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Сыноров Ю. В. и др. // Неорган. Мат. 1991. Т. 27. № 3. С. 470—473.
4. Бубнов Ю. З., Лурье М. С., Старос Ф. Г. и др. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме. М.: Сов, радио, 1975. 160 с.
5. Wright S., Kroemer H. // Appl. Phys. Lett. 1980. V. 36. № 3. P. — 210—211.
6. Безрядин Н. Н, Сыноров Ю. В., Самойлов А. М. и др. // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. 2002. Вып. 1.11. С. 47—51.
7. Иевлев В. М., Кущев С. Б. Просвечивающая электронная микроскопия неорганических материалов: учебное пособие. Воронеж: ВГТУ, 2003. 164 с.
8. Безрядин Н. Н., Дронов А. С., Кузьменко Т. А. и др. // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. № 5. С. 353—356.
9. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Кузубов С. В. И др. // Кристаллография. 2011. Т. 56. № 3. С. 565—569.
10. Ong C. K., Chan B. C. // J. Phys.: Condens. Matter. 1989. V. 1. P. 3931.
11. Оура К. Лифшиц В. Г., Саранин А. А. и др. Введение в физику поверхности. М.: Наука, 2006. 490 с.
12. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников: Пep. c англ. М.: Mиp, 1990. 448 c.
13. Кондратов А. В., Потапенко А. А. Термическое испарение в вакууме при производстве изделий радиоэлектроники. М.: Радио и связь, 1986. 80 с.
14. Bokes P., Stich I., Mitas L. // Chemical Physics Letters. 2002. V. 362. P. 559—566.
15. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Кузубов С. В. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. Т. 12. № 1. С. 28—35.
2. Алферов Ж. И. // ФТП. 1998. Т. 32. № 1. С. 3—18.
3. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Сыноров Ю. В. и др. // Неорган. Мат. 1991. Т. 27. № 3. С. 470—473.
4. Бубнов Ю. З., Лурье М. С., Старос Ф. Г. и др. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме. М.: Сов, радио, 1975. 160 с.
5. Wright S., Kroemer H. // Appl. Phys. Lett. 1980. V. 36. № 3. P. — 210—211.
6. Безрядин Н. Н, Сыноров Ю. В., Самойлов А. М. и др. // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. 2002. Вып. 1.11. С. 47—51.
7. Иевлев В. М., Кущев С. Б. Просвечивающая электронная микроскопия неорганических материалов: учебное пособие. Воронеж: ВГТУ, 2003. 164 с.
8. Безрядин Н. Н., Дронов А. С., Кузьменко Т. А. и др. // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. № 5. С. 353—356.
9. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Кузубов С. В. И др. // Кристаллография. 2011. Т. 56. № 3. С. 565—569.
10. Ong C. K., Chan B. C. // J. Phys.: Condens. Matter. 1989. V. 1. P. 3931.
11. Оура К. Лифшиц В. Г., Саранин А. А. и др. Введение в физику поверхности. М.: Наука, 2006. 490 с.
12. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников: Пep. c англ. М.: Mиp, 1990. 448 c.
13. Кондратов А. В., Потапенко А. А. Термическое испарение в вакууме при производстве изделий радиоэлектроники. М.: Радио и связь, 1986. 80 с.
14. Bokes P., Stich I., Mitas L. // Chemical Physics Letters. 2002. V. 362. P. 559—566.
15. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Кузубов С. В. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. Т. 12. № 1. С. 28—35.
Published
2011-12-08
How to Cite
Bezryadin, N. N., Kotov, G. I., Synorov, Y. V., & Kuzubov, S. V. (2011). STRUCTURE OF INTERFACE Ga2Se3 - Si(100). Condensed Matter and Interphases, 13(4), 409-412. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1071
Issue
Section
Статьи
