СТРУКТУРА ГЕТЕРОГРАНИЦЫ Ga2Se3 — Si(100)

Nikolay N. Bezryadin; Gennadii I. Kotov; Yurii V. Synorov; Sergey V. Kuzubov

Authors

Nikolay N. Bezryadin grand PhD, professor, department of physics VSTA; tel.: (473) 255-0762, e-mail: phys@ vgta.vrn.ru
Gennadii I. Kotov senior lecturer, department of physics VSTA; tel.: (473) 255-0762, e-mail: phys@vgta. vrn.ru
Yurii V. Synorov senior lecturer, department of physics VSTA; tel.: (473) 255-0762, e-mail: phys@vgta.vrn.ru
Sergey V. Kuzubov senior lecturer, department of physics VSTA; tel.: (473) 255-0762, e-mail: phys@vgta. vrn.ru

Keywords:

гетероструктура, селенид галлия, кремний, реконструкция поверхности, граница раздела.

Abstract

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована гетерограница Ga2Se3-Si(100), сформированная напылением в квазизамкнутом объеме из независимых источников галлия и селена. Предварительная обработка кремниевой подложки в потоке Ga с
целью удаления естественного оксида позволяет получать монокристаллические эпитаксиальные пленки Ga2Se3. Установлены технологические параметры процесса, когда на микродифракционных изображениях появляются «видимые» плоскости Ga2Se3 (110) и (310), присутствие которых свидетельствуют о реконструкции поверхности Si(100) по типу (2×1) или с(4×2).