A2IIIC3VI CRYSTAL NUCLEATION STAGE AT THE AIIIBV SURFACE
Abstract
В работе исследуется кинетика роста и коалесценция зародышей соединения A2IIIC3VI на кристаллах AIIIBV. Методом экстраполяции из гистограмм распределения зародышей по радиусам определено критическое значение радиуса зародыша ≈17 нм, которое хорошо согласуется с радиусом когерентности кристаллических решеток GaAs — Ga2Se3 ≈14 нм. Оценки размеров неоднородностей поверхности и их концентраций, полученные по микрофотографиям, согласуются с результатами измерений релеевского рассеяния от поверхностей Ga2Se3 и данными туннельной микроскопии. Темп генерации вакансий элемента BV и механические напряжения, вызванные рассогласованием периодов идентичности кристаллических решеток, максимальны в ближайшем окружении зародыша фазы A2IIIC3VI. Микроскопический механизм замещения анионов кристаллической решетки AIIIBV на элемент CVI определяется термостимулированным образованием вакансий в анионных узлах и их последующим заполнением атомами CVI из адсорбированного слоя халькогена.
Downloads
References
2. Сысоев Б. И., Буданов А. В., Стрыгин В. Д. Формирование гетероперехода Ga2S3 — гетеровалентного замещения мышьяка на серу. // В сб. Полупроводники и гетеропереходы. 1987. Таллин, С. 32—34.
3. Postnikov V. S., Sysoev B. I., Budanov A. V., et al. // Phisica Status Solidi (a). 1988. V. 109. P. 463—467.
4. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Буданов А. В. и др. // Микроэлектроника. 1990. Т. 19. Вып. 6. С. 591—594.
5. Безрядин Н. Н., Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // Неорганические материалы. 2000. Т. 36. № 9. С. 1037—1041.
6. Антюшин В. Ф., Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 7. С. 68—72.
7. Безрядин Н. Н., Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // Приборы и техника эксперимента. 1998. № 5. С. 150—152.
8. Бессолов В. Н., Лебедев М. В. // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. В. 11. С. 1281—1299.
