A2IIIC3VI CRYSTAL NUCLEATION STAGE AT THE AIIIBV SURFACE

Abstract

В работе исследуется кинетика роста и коалесценция зародышей соединения A2IIIC3VI на кристаллах AIIIBV. Методом экстраполяции из гистограмм распределения зародышей по радиусам определено критическое значение радиуса зародыша ≈17 нм, которое хорошо согласуется с радиусом когерентности кристаллических решеток GaAs — Ga2Se3 ≈14 нм. Оценки размеров неоднородностей поверхности и их концентраций, полученные по микрофотографиям, согласуются с результатами измерений релеевского рассеяния от поверхностей Ga2Se3 и данными туннельной микроскопии. Темп генерации вакансий элемента BV и механические напряжения, вызванные рассогласованием периодов идентичности кристаллических решеток, максимальны в ближайшем окружении зародыша фазы A2IIIC3VI. Микроскопический механизм замещения анионов кристаллической решетки AIIIBV на элемент CVI определяется термостимулированным образованием вакансий в анионных узлах и их последующим заполнением атомами CVI из адсорбированного слоя халькогена.