ВЫСОКОСИММЕТРИЧНЫЕ КУБИЧЕСКИЕ МОДИФИКАЦИИ In2Se3 И Ga2Se3, ПОЛУЧЕННЫЕ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ ПОДЛОЖЕК InAs И GaAs С СЕЛЕНОМ

Alexander V. Budanov; Evgeniy A. Tatokhin; Vladimir D. Strygin; Evgeniy V. Rudnev

Авторы

Alexander V. Budanov Буданов Александр Владимирович — доцент кафедры физики, Воронежский государственный университет инженерных технологий; тел.: (903) 8527719, e-mail: budanova9@gmail.com
Evgeniy A. Tatokhin Татохин Евгений Анатольевич — доцент кафедры физики, Воронежский государственный университет инженерных технологий; e-mail: phys@vgta.vrn.ru
Vladimir D. Strygin Стрыгин Владимир Дмитриевич — профессор кафедры физики, Воронежский государственный университет инженерных технологий; тел.: (909) 2106999, e-mail: phys@vgta.vrn.ru
Evgeniy V. Rudnev Руднев Евгений Владимирович — доцент кафедры физики твердого тела и наноструктур, Воронежский государственный университет, тел.: (951) 8764844, e-mail: rudneff@mail.ru

Ключевые слова:

высокосимметричные кубические модификации, сканирующая электронная микроскопия, рентгеноспектральный микроанализ.

Аннотация

Методами электронографии, сканирующей электронной микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы модификации Ga2Se3 и In2Se3, полученные методом гетеровалентного замещения в процессе термического отжига монокристаллических подложек арсенидов галлия и индия в парах селена в квазизамкнутом объеме. Впервые было обнаружено существование кубических фаз In2Se3 (a0 = 1,1243 нм и a0 = 1,6890 нм) и Ga2Se3 (a0 = 1,0893 нм и a0 = 1,6293 нм).