THE KINETICS OF THE FORMATION OF Cu(I) AND Cu(II) OXIDES ON COPPER IN ALKALINE SOLUTIONS AND THE FEATURES OF THEIR PHOTOELECTROCHEMICAL BEHAVIOR. PART II. PHOTOPOTENTIAL
Abstract
Анодное формирование оксидов Cu(I) и Cu(II) на поликристаллической меди в деаэрированном щелочном растворе изучено методом синхронного получения транзиентов фотопотенциала и потенциала коррозии (после отключения тока поляризации). Обнаружено,
что медь склонна к коррозионному окислению следами растворенного кислорода с образованием оксида Cu(I). Предварительное формирование подслоя анодного оксида Cu(I) на меди затрудняет ее дальнейшее коррозионное доокисление. Оксиды меди Cu2O и СuO, возникающие на меди как при анодной поляризации, так и при коррозии, являются полупроводниками р-типа. Толщина пленки оксида Cu(I) не превышает области пространственного заряда полупроводника, тогда как анодная поляризация в области потенциалов формирования CuO приводит к образованию более толстой оксидной пленки.
Downloads
References
2. Кудряшов Д. А. Анодное формирование и свойства нанопленки оксида Ag(I) на поли-, монокристаллах серебра и Ag,Au-сплавах. Дисс. … канд. хим. наук. Воронеж: Воронеж. ун-т, 2008. 193 с.
3. Кудряшов Д. А., Грушевская С. Н., Введенский А. В. // Защита металлов. 2007. Т. 43. № 6. С. 652—661.
4. Vvedenskii A., Grushevskaya S., Kudryashov D., Ganzha S. // Surface and Interface Analysis. 2008. V. 40. P. 636—640.
5. Введенский А. В. Механизм и кинетика взаимодействия меди с разбавленными хлоридными растворами и обессоленной водой. Дисс. … канд. хим. наук. Воронеж: Воронеж. ун-т, 1979. 168 с.
6. North R .F., Pryor M. J. // Corrosion science. 1970. V. 10. № 5. P. 297—311.
7. Крейзер И. В., Маршаков И. К., Тутукина Н. М., Зарцын И.Д. // Защита металлов. 2003. Т. 39. № 1. С. 35—39.
8. Гуревич Ю. Я., Плесков Ю. В. Фотоэлектрохимия полупроводников, М. Наука, 1983. 312 с.
9. Bard A. J., Stratmann M., Licht S. (eds) Encyclopedia of electrochemistry. V.6: Semiconductor Electrodes and Photoelectrochemistry. 2002. Wiley-VCH, Weinheim. P. 51.
10. Finklea H. O. (ed) Semiconductor electrodes. 1988. Elsevier, New York. 519 р.
11. Collisi U., Strehblow. H.-H. // J. Electroanal. Chem. 1990. V. 284. № 4. P. 385—401.
12. Chaudhary Y. S., Argaval A., Shrivastav R. et. al. // Int. J. Hydrogen Energy. 2004. № 29. P. 131—134.
13. Di Quarto F., Piazza S., Sunseri C. // Electrochim. Acta. 1985. V. 30. № 3. P. 315—324.
14. Pointu B., Brizaz M., Poucet P. et. al. // J. Electroanal. Chem. 1981. V. 122. P.111
15. Collisi U., Strehblow H.-H. // J.Electroanal. Chem. 1986. V. 210. № 2. P. 213—227.
16. Камкин А. Н., Гуо Динг-Цу, Давыдов А. Д. // Защита металлов. 2001. Т. 37. № 1. С. 72—78.
17. Wilhelm S. M., Tanizawa Y., Chang-Yi Liu et. al. // Corr. Sci. 1982. V. 22. № 8. P. 791—805.
18. Kublanovsky V. S., Kolbasov G. Ya., Belinskii V. N. // J. Electroanal. Chem. 1996. V. 415. P. 161—163
19. Strehblow H.-H., Maurice V., Marcus P. // Electrochim. Acta. 2001. V. 46. P. 3755—3766.
20. Лукьянчиков А. Н., Грушевская С. Н., Кудряшов Д. А., Введенский А. В. Устройство для измерения фотоэлектрического потенциала. Патент на полезную модель № 55988 РФ, Бюллетень «Изобретения. Полезные модели». 2006. № 24. С. 3.
21. Химическая энциклопедия: в 5 т.: т. 2: Даффа-Меди Х46 / Редкол.: Кнунянц (гл. ред.) и др.: М.: Сов. энцикл., 1990. 671 с.
22. Kapusta S., Hackerman N. // Electrochimica Acta. 1980. V. 25. № 8. P. 1001—1006.
