PREDICTION OF THE RADIATION TOLERANCE OF MOS IC`S UNDER CONDITIONS OF LOW-INTENSITY RADIATION
Abstract
Предложена модель накопления заряда в слое стеклообразной двуокиси кремния и на поверхностных состояниях границы раздела Si — SiO2 кремниевой МОП структуры под воздействием рентгеновского излучения, основанная на едином механизме генерации радиа-
ционных дефектов E' (−Si≡O3) и Pb (−Si≡Si3) в переходном нестехиометрическом слое с высоким уровнем упругих внутренних напряжений. На основе модели предложена методика прогноза радиационной деградации статических характеристик кремниевых МОП структур в
радиационных полях низкой интенсивности (космическое излучение).
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Oldham T.R., McLean F.B. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2003. V. 50. № 3. P. 483.
2. Fleetwood D.M., Eisen H.A. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2003. V. 50. № 3. P. 552.
3. Беляков В.В., Першенков В.С., Зебрев Г.И., Согоян А.В., Чумаков А.И., Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К. // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 1. С. 31.
4. Lenahan P.M., Conley J.F. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1998. V. 45. № 6. P. 2413.
5. Левин М.Н., Татаринцев А.В., Бондаренко Е.В., Гитлин В.Р., Макаренко В.А., Бормонтов А.Е. // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика. 2008. № 2. С. 30.
6. Левин М.Н., Татаринцев А.В., Минин Л.А., Бондаренко Е.В., Гитлин В.Р., Бормонтов А.Е. // Материалы XII Международной научно-технической конференции «Кибернетика и высокие технологии XXI века». Воронеж, 2009. Т. 2. С. 770.
7. Кадменский А.Г., Кадменский С.Г., Левин М.Н. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 3. С. 41.
8. Levin M.N., Maslovsky V.M. // Solid State Communications. 1994. V. 90. № 12. P. 813.
9. Левин М.Н., Татаринцев А.В., Макаренко В.А., Гитлин В.Р. // Микроэлектроника. 2006. Т. 35. № 5. C. 382.
10. Benedetto J.M. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. V. 34. № 6. P. 1540.
11. McWhorter P.J., S.L. Miller S.L., Miller W.M. // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1990. V. 37. № 6. P. 1682.
12. Першенков В.С., Попов В.Д., А.В. Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М.: Энергоатомиздат, 1988. 256 с.
2. Fleetwood D.M., Eisen H.A. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2003. V. 50. № 3. P. 552.
3. Беляков В.В., Першенков В.С., Зебрев Г.И., Согоян А.В., Чумаков А.И., Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К. // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 1. С. 31.
4. Lenahan P.M., Conley J.F. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1998. V. 45. № 6. P. 2413.
5. Левин М.Н., Татаринцев А.В., Бондаренко Е.В., Гитлин В.Р., Макаренко В.А., Бормонтов А.Е. // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика. 2008. № 2. С. 30.
6. Левин М.Н., Татаринцев А.В., Минин Л.А., Бондаренко Е.В., Гитлин В.Р., Бормонтов А.Е. // Материалы XII Международной научно-технической конференции «Кибернетика и высокие технологии XXI века». Воронеж, 2009. Т. 2. С. 770.
7. Кадменский А.Г., Кадменский С.Г., Левин М.Н. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 3. С. 41.
8. Levin M.N., Maslovsky V.M. // Solid State Communications. 1994. V. 90. № 12. P. 813.
9. Левин М.Н., Татаринцев А.В., Макаренко В.А., Гитлин В.Р. // Микроэлектроника. 2006. Т. 35. № 5. C. 382.
10. Benedetto J.M. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. V. 34. № 6. P. 1540.
11. McWhorter P.J., S.L. Miller S.L., Miller W.M. // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1990. V. 37. № 6. P. 1682.
12. Першенков В.С., Попов В.Д., А.В. Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М.: Энергоатомиздат, 1988. 256 с.
Published
2010-09-30
How to Cite
Levin, M. N., Tatarintzev, A. V., Bondarenko, E. V., BormontovA. Е., & Gitlin, V. R. (2010). PREDICTION OF THE RADIATION TOLERANCE OF MOS IC`S UNDER CONDITIONS OF LOW-INTENSITY RADIATION. Condensed Matter and Interphases, 12(3), 226-232. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1119
Issue
Section
Статьи
