SIMULATION OF THE INTERACTION OF CARBON ATOMS WITH THE SURFACE OF A SILICON CRYSTAL

  • Boris M. Darinskii
  • Yuliya G.  Safonova

Abstract

В ходе работы был проведен квантово-химический анализ взаимодействия атомов
углерода с поверхностью кристалла кремния в рамках теории функционала плотности (DFT).
Определен энергетический минимум нахождения атомов С в кристаллической структуре Si,
проведен орбитальный анализ.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

Boris M. Darinskii

Dr. Sci. (Phys.-Math.), Professor
of the Department of Material Science and Industry of Nanosystems,
Voronezh State University; e-mail: darinskii@
mail.ru

Yuliya G.  Safonova

graduate student of the Department
of Material Science and Industry of Nanosystems,
Voronezh State University

References

1. Dissertation von Frank Zirkelbachaus Berlin. Atomistic simulation study on silicon carbide precipitation in silicon. Augsburg, September 2011.
2. Фок В. А. // УФН. 1936. № 7. С. 943—954.
3. Бутырская Е. В. Компьютерная химия: основы теории и работа с программами Gaussian и G aussview. М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2011. 224 с.
4. Stephens P. J., Devlin F. J., Stephens P. J., et al. // J. Phys. Chem. V. 98. 1994. P. 11623—11627.
Published
2014-09-18
How to Cite
Darinskii, B. M., & Safonova, Y. G. (2014). SIMULATION OF THE INTERACTION OF CARBON ATOMS WITH THE SURFACE OF A SILICON CRYSTAL. Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 16(3), 262-272. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/837
Section
Статьи

Most read articles by the same author(s)