SIMULATION OF THE INTERACTION OF CARBON ATOMS WITH THE SURFACE OF A SILICON CRYSTAL
Abstract
В ходе работы был проведен квантово-химический анализ взаимодействия атомов
углерода с поверхностью кристалла кремния в рамках теории функционала плотности (DFT).
Определен энергетический минимум нахождения атомов С в кристаллической структуре Si,
проведен орбитальный анализ.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Dissertation von Frank Zirkelbachaus Berlin. Atomistic simulation study on silicon carbide precipitation in silicon. Augsburg, September 2011.
2. Фок В. А. // УФН. 1936. № 7. С. 943—954.
3. Бутырская Е. В. Компьютерная химия: основы теории и работа с программами Gaussian и G aussview. М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2011. 224 с.
4. Stephens P. J., Devlin F. J., Stephens P. J., et al. // J. Phys. Chem. V. 98. 1994. P. 11623—11627.
2. Фок В. А. // УФН. 1936. № 7. С. 943—954.
3. Бутырская Е. В. Компьютерная химия: основы теории и работа с программами Gaussian и G aussview. М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2011. 224 с.
4. Stephens P. J., Devlin F. J., Stephens P. J., et al. // J. Phys. Chem. V. 98. 1994. P. 11623—11627.
Published
2014-09-18
How to Cite
Darinskii, B. M., & Safonova, Y. G. (2014). SIMULATION OF THE INTERACTION OF CARBON ATOMS WITH THE SURFACE OF A SILICON CRYSTAL. Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 16(3), 262-272. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/837
Issue
Section
Статьи
