ANALYSIS REDISTRIBUTION OF CONCENTRATION COMPONENTS DURING MAGNETRON SPUTTERING NIOBIUM ON SILICON SINGLE CRYSTALS
Keywords:
магнетронное распыление, тонкие пленки, концентрационное распределе- ние компонентов, обратное резерфордовское рассеяние, вторичная ионная масс-спектрометрия.Abstract
Методами РОР, ВИМС и математического моделирования исследовано перераспределение компонентов в процессе магнетронного распыления ниобия на монокристаллический кремний. Показано, что имплантационный характер проникновения атомов металла в
кремний приводит к появлению приповерхностного пика концентрации кремния в растущей пленке металла.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Downloads
Published
2012-03-01
Issue
Section
Статьи
How to Cite
ANALYSIS REDISTRIBUTION OF CONCENTRATION COMPONENTS DURING MAGNETRON SPUTTERING NIOBIUM ON SILICON SINGLE CRYSTALS. (2012). Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 14(1), 9-14. https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/940








