ANALYSIS REDISTRIBUTION OF CONCENTRATION COMPONENTS DURING MAGNETRON SPUTTERING NIOBIUM ON SILICON SINGLE CRYSTALS
Abstract
Методами РОР, ВИМС и математического моделирования исследовано перераспределение компонентов в процессе магнетронного распыления ниобия на монокристаллический кремний. Показано, что имплантационный характер проникновения атомов металла в
кремний приводит к появлению приповерхностного пика концентрации кремния в растущей пленке металла.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Vystavel T., Palasantzas G., Koch S. A., et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. № 19. P. 3909.
2. Hayase T., Kajihara M. // Mat. Sci. Eng. A. 2006. V. 433. № 1—2. P. 83.]
3. Пугачевич В. П., Чистяков Ю. Д., Тимошенков С. П. // ФММ. 1982. Т. 54. № 3. С. 449.
4. Thin fi lms-interdiffusion and reactions, ed. By J. M. Poate, K.N.Tu, J.W. Mayer (John Wiley&Sons, N.Y. 1978). Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции, пер. под ред. В. Ф. Киселева и В. В. Поспелова (М.: Мир, 1882.)
5. Banerjee R., Sperling E. A., Thompson G. B., et al. // Appl. Phys. Lett. V. 82. № 24. P. 4250—4252.
6. Igarashi Y., Kanayama M. // J. Appl. Phys. 1985. V. 57. № 3. P. 849—854.
7. Akazaki T., Nitta J., Takayanagi H. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. № 16. P. 2037—2039.
8. Kanayama T., Tanoue H., Tsurushima T. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 35. № 3. P. 222—224.
9. Черняев В. Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. 1987. М.: Высш. Шк., 376 с.
10. Horache E.,. Fischer J. E, Van der Spiegel J. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. P. 4652—4655.
11. Данилин Б. С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.
12. Вахтель В. М., Афонин Н. Н., Логачёва В. А. и др. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2008. Т. 74. № 7. С. 33/
13. Ziegler J. F., Biersak J. P., Littmark U. The stopping and range of ions in solids. Pergamon, N.Y. 1996. 192 p.
14. Самарский А. А. Теория разностных схем. М.: Наука, 1977. 656 с.
15. Тихонов А. Н., Самарский А. А. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1977. 736 с.
16. Буренков А. Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А. и др. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде столкновений в твердых телах. М.:Энергоатомиздат, 1985. 248 с.
17. Буренков А. Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А. и др. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированной примеси. Минск: Изд-во БГУ, 1980. 350 с.
2. Hayase T., Kajihara M. // Mat. Sci. Eng. A. 2006. V. 433. № 1—2. P. 83.]
3. Пугачевич В. П., Чистяков Ю. Д., Тимошенков С. П. // ФММ. 1982. Т. 54. № 3. С. 449.
4. Thin fi lms-interdiffusion and reactions, ed. By J. M. Poate, K.N.Tu, J.W. Mayer (John Wiley&Sons, N.Y. 1978). Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции, пер. под ред. В. Ф. Киселева и В. В. Поспелова (М.: Мир, 1882.)
5. Banerjee R., Sperling E. A., Thompson G. B., et al. // Appl. Phys. Lett. V. 82. № 24. P. 4250—4252.
6. Igarashi Y., Kanayama M. // J. Appl. Phys. 1985. V. 57. № 3. P. 849—854.
7. Akazaki T., Nitta J., Takayanagi H. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. № 16. P. 2037—2039.
8. Kanayama T., Tanoue H., Tsurushima T. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 35. № 3. P. 222—224.
9. Черняев В. Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. 1987. М.: Высш. Шк., 376 с.
10. Horache E.,. Fischer J. E, Van der Spiegel J. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. P. 4652—4655.
11. Данилин Б. С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.
12. Вахтель В. М., Афонин Н. Н., Логачёва В. А. и др. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2008. Т. 74. № 7. С. 33/
13. Ziegler J. F., Biersak J. P., Littmark U. The stopping and range of ions in solids. Pergamon, N.Y. 1996. 192 p.
14. Самарский А. А. Теория разностных схем. М.: Наука, 1977. 656 с.
15. Тихонов А. Н., Самарский А. А. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1977. 736 с.
16. Буренков А. Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А. и др. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде столкновений в твердых телах. М.:Энергоатомиздат, 1985. 248 с.
17. Буренков А. Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А. и др. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированной примеси. Минск: Изд-во БГУ, 1980. 350 с.
Published
2012-03-01
How to Cite
Afonin, N. N., Darinskii, B. M., Logachova, V. A., & Khoviv, A. M. (2012). ANALYSIS REDISTRIBUTION OF CONCENTRATION COMPONENTS DURING MAGNETRON SPUTTERING NIOBIUM ON SILICON SINGLE CRYSTALS. Condensed Matter and Interphases, 14(1), 9-14. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/940
Issue
Section
Статьи
