PREDICTION OF THE RADIATION TOLERANCE OF MOS IC`S UNDER CONDITIONS OF LOW-INTENSITY RADIATION

Abstract

Предложена модель накопления заряда в слое стеклообразной двуокиси кремния и на поверхностных состояниях границы раздела Si — SiO2 кремниевой МОП структуры под воздействием рентгеновского излучения, основанная на едином механизме генерации радиа-
ционных дефектов E' (−Si≡O3) и Pb (−Si≡Si3) в переходном нестехиометрическом слое с высоким уровнем упругих внутренних напряжений. На основе модели предложена методика прогноза радиационной деградации статических характеристик кремниевых МОП структур в
радиационных полях низкой интенсивности (космическое излучение).