SIMULATION OF THE INTERACTION OF CARBON ATOMS WITH THE SURFACE OF A SILICON CRYSTAL

Authors

  • Boris M. Darinskii
  • Yuliya G.  Safonova

Keywords:

карбид кремния, адсорбция, энергия, замещение, молекулярные орбитали.

Abstract

В ходе работы был проведен квантово-химический анализ взаимодействия атомов
углерода с поверхностью кристалла кремния в рамках теории функционала плотности (DFT).
Определен энергетический минимум нахождения атомов С в кристаллической структуре Si,
проведен орбитальный анализ.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

  • Boris M. Darinskii

    Dr. Sci. (Phys.-Math.), Professor
    of the Department of Material Science and Industry of Nanosystems,
    Voronezh State University; e-mail: darinskii@
    mail.ru

  • Yuliya G.  Safonova

    graduate student of the Department
    of Material Science and Industry of Nanosystems,
    Voronezh State University

References

Downloads

Published

2014-09-18

Issue

Section

Статьи

How to Cite

SIMULATION OF THE INTERACTION OF CARBON ATOMS WITH THE SURFACE OF A SILICON CRYSTAL. (2014). Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 16(3), 262-272. https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/837

Most read articles by the same author(s)